分析装置及分析方法制造方法及图纸

技术编号:7808593 阅读:160 留言:0更新日期:2012-09-27 06:58
本发明专利技术涉及一种分析装置及分析方法。分析装置(10)是使用设置有流路的微芯片(30)进行电泳的装置,分析装置(10)具有:冷却部(电子冷却元件(12)及驱动电路(13)),冷却微芯片(30);电压施加部(电极(14a、14b)、电源电路(15)),向填充到微芯片(30)的流路(32)的缓冲液施加电压;光学分析部(光源(16)、受光元件(17)、分析部(18)),通过微芯片(30),对导入到流路(32)的试料进行光学分析;控制部(20),控制冷却部、电压施加部及光学分析部,控制部(20)使冷却部开始微芯片(30)的冷却,在微芯片(30)冷却后,使电压施加部及光学分析部工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种利用了电泳的。
技术介绍
一直以来,在分析生物学及生化学领域中,利用电泳。作为电泳的代表性示例,毛细管电泳为世人所知(例如參照日本特开2001-99813号公报、及日本特开2003-166976号公报)。在毛细管电泳中,使用注满了缓冲液的毛细管(微小细管),在其内部注入试料。并且,毛细管的两端浸入到缓冲液中,在该状态下向毛细管内部施加电压。 当施加电压时,试料在毛细管内部移动的同时分离。并且,通过设置在毛细管中途的窗ロ,向毛细管的内部照射紫外线、可视光、或红外线等。并且,透过毛细管的光由受光元件受光,之后根据受光的光进行吸光光度分析方法下的试料分析。并且近年来,替代毛细管,提出了利用微芯片的电泳的方案。微芯片一般由设置了细微的槽的玻璃基板、及覆盖槽并与玻璃基板接合的盖子构成。并且,在微芯片中,对玻璃基板的槽的形成应用半导体制造技术来进行,槽的宽、深及个数设定较容易。因此,微芯片今后可能成为电泳中的王力。并且,在电泳中,分子的泳动速度受温度影响,因此在电压施加时,需要将缓冲液的温度管理在最佳范围。所以在进行电泳的装置(电泳装置)中,大多情况下,为了抑制电压施加造成的温度上升,设有冷却装置。作为冷却装置,使用送风机、珀尔帖元件等。在毛细管电泳中,毛细管热容量较小,所以仅通过使冷却装置工作,就可简单地将毛细管内部保持在最佳温度范围。但是,微芯片和毛细管相比热容量较大,因此仅通过配置冷却装置并使之工作,难以将微芯片的内部温度保持在最佳温度范围。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于解决上述课题,提供ー种在使用了微芯片的电泳中,可使微芯片的温度最佳化的。为实现上述目的,本专利技术中的分析装置使用设置有流路的微芯片进行电泳,其特征在于,具有冷却部,冷却上述微芯片;电压施加部,向填充到上述微芯片的流路的缓冲液施加电压;光学分析部,通过上述微芯片,对导入到上述流路的试料进行光学分析;控制部,控制上述冷却部、上述电压施加部及上述光学分析部,上述控制部使上述冷却部开始上述微芯片的冷却,在上述微芯片冷却后,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。根据上述特征,在本专利技术中,在进行电泳前,微芯片预先充分冷却,之后进行电泳。根据本专利技术,在使用了微芯片的电泳中,可实现微芯片的温度的最佳化。上述本专利技术中的分析装置优选以下方式上述控制部在从使上述冷却部开始上述微芯片的冷却起经过设定时间后,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。根据该方式,可切实进行微芯片的冷却。上述本专利技术中的分析装置优选以下方式该分析装置进ー步具有温度传感器,所述温度传感器用于测定上述微芯片的温度,上述控制部在通过上述温度传感器測定的温度是第I设定温度以下时,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。在该方式中,根据微芯片的温度可判断冷却是否充分,因此可较切实地进行微芯片的冷却。并且,上述本专利技术中的分析装置可以是以下方式上述控制部在通过上述温度传感器測定的温度是第2设定温度以下时,使上述冷却部进行冷却的停止或输出的降低。当微芯片的流路内的温度过度降低时,试料的粘性变大,电泳变得困难,但根据上述方式,可避免这ー情況。并且,上述本专利技术中的分析装置优选以下方式上述控制部在使上述电压施加部及上述光学分析部工作的即刻之前,増加上述冷却部的输出,在上述电压施加部及上述光学分析部的工作结束后,降低上述冷却部的输出。根据上述方式,可较强カ地抑制微芯片的 温度上升,因此易于应对微芯片的发热量的増加。进ー步,上述本专利技术中的分析装置优选以下方式该分析装置进ー步具有用于放置上述微芯片的第I载物台及第2载物台,上述冷却部具有第I冷却部,冷却上述第I载物台上放置的上述微芯片;第2冷却部,冷却上述第2载物台上放置的上述微芯片,上述电压施加部以上述第2载物台上放置的上述微芯片为对象,施加电压,上述光学分析部以上述第2载物台上放置的上述微芯片为对象,进行上述试料的光学分析,上述控制部在上述第I载物台上放置了上述微芯片时,进行上述第I冷却部对上述微芯片的冷却,之后,当上述微芯片放置到上述第2载物台上时,通过上述第2冷却部冷却上述微芯片的同时,执行上述电压施加部的电压施加和上述光学分析部的光学分析。根据上述方式,作为测定对象的微芯片有多个时,可预先冷却作为下ー测定对象的微芯片,可高效进行測定。在上述本专利技术中的分析装置中,上述冷却部是送风装置、电子冷却元件、及热管中的至少ー个即可。并且,在上述本专利技术中的分析装置中优选,上述微芯片具有主体部分,在内部形成有上述流路;散热部件,设置在上述主体部分的表面,上述散热部件由导热性比形成上述主体部分的材料强的材料形成。这种情况下,可提高微芯片中的冷却效率。进ー步,在上述本专利技术中的分析装置中优选,上述微芯片具有在内部形成有上述流路的主体部分,上述主体部分中进ー步沿着上述流路形成用于使致冷剂流动的第2流路。这种情况下也可提高微芯片中的冷却效率。为实现上述目的,本专利技术中的分析方法使用下述装置进行利用了电泳的试料分析冷却装置,冷却设置有流路的微芯片;电压施加装置,向填充到上述微芯片的流路的缓冲液施加电压;光学分析装置,通过上述微芯片对导入到上述流路中的试料进行光学分析,其特征在于具有以下步骤(a)通过上述冷却装置冷却上述微芯片的步骤;(b)上述微芯片冷却后,使上述电压施加装置及上述光学分析装置工作的步骤。上述本专利技术中的分析方法优选,使用用于测定上述微芯片的温度的温度传感器,在上述(b)步骤中,当通过上述温度传感器測定的温度是第I设定温度以下时,使上述电压施加装置及上述光学分析装置工作。并且,在该方式中,优选进一歩具有步骤(C):当通过上述温度传感器測定的温度是第2设定温度以下时,使上述冷却装置进行冷却的停止或输出的降低。并且,上述本专利技术中的分析方法优选,在上述(a)步骤中,使上述电压施加装置及上述光学分析装置工作的即刻之前,増加上述冷却装置的输出,在上述(b)步骤中,上述电压施加装置及上述光学分析装置的工作结束后,降低上述冷却装置的输出。如上所述,根据本专利技术中的,在使用了微芯片的电泳中,可使微芯片的温度最佳化。附图说明图I是表示本专利技术的实施方式I中的分析装置的构成的构成图。图2是表示本专利技术的实施方式I中使用的微芯片的一例的分解透视图。 图3是表示本专利技术的实施方式I中的分析装置的工作的流程图。图4是表示使本专利技术的实施方式I中的分析装置工作时的微芯片的温度变化的图。图5是表示本专利技术的实施方式2中的分析装置的工作的流程图。图6是表示使本专利技术的实施方式2中的分析装置工作时的微芯片的温度变化的图。图7是表示微芯片的上表面温度、流路温度、载物台上的温度的时间经过的图。图8表示将状态I下的微芯片模型化的例子。图9表示在处于状态I的微芯片中成立的状态方程式。图10表示将状态2下的微芯片模型化的例子。图11表示在处于状态2的微芯片中成立的状态方程式。图12是表示将状态3及状态4下的微芯片模型化的例子的图。图13是表示在处于状态3或状态4的微芯片中成立的状态方程式的图。图14是表示将状态5下的微芯片模型化的例子的图。图15是表示在处于状态5的微芯片中成立的状态方程式的图。图16是表示变形例I中的分析装置的构成的图。图17是表示变形例2中的微芯片的构成的一例的图,图17(a)是平面图,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.23 JP 2011-064411;2012.02.29 JP 2012-043551.ー种分析装置,使用设置有流路的微芯片进行电泳,其特征在干, 具有冷却部,冷却上述微芯片; 电压施加部,向填充到上述微芯片的流路的缓冲液施加电压; 光学分析部,通过上述微芯片,对导入到上述流路的试料进行光学分析; 控制部,控制上述冷却部、上述电压施加部及上述光学分析部, 上述控制部使上述冷却部开始上述微芯片的冷却,在上述微芯片冷却后,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。2.根据权利要求I所述的分析装置,上述控制部在从使上述冷却部开始上述微芯片的冷却起经过设定时间后,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。3.根据权利要求I所述的分析装置, 该分析装置进ー步具有温度传感器,所述温度传感器用于测定上述微芯片的温度, 上述控制部在通过上述温度传感器測定的温度是第I设定温度以下时,使上述电压施加部及上述光学分析部工作。4.根据权利要求3所述的分析装置,上述控制部在通过上述温度传感器測定的温度是第2设定温度以下时,使上述冷却部进行冷却的停止或输出的降低。5.根据权利要求I所述的分析装置,上述控制部在使上述电压施加部及上述光学分析部工作的即刻之前,増加上述冷却部的输出,在上述电压施加部及上述光学分析部的工作结束后,降低上述冷却部的输出。6.根据权利要求I所述的分析装置, 该分析装置进ー步具有用于放置上述微芯片的第I载物台及第2载物台, 上述冷却部具有第I冷却部,冷却上述第I载物台上放置的上述微芯片;第2冷却部,冷却上述第2载物台上放置的上述微芯片, 上述电压施加部以上述第2载物台上放置的上述微芯片为对象,施加电压, 上述光学分析部以上述第2载物台上放置的上述微芯片为对象,进行上述试料的光学分析, 上述控制部在上述第I载物台上放置了上述微芯片时,进行上述第I...

【专利技术属性】
技术研发人员:白木裕章松本大辅中山雄介安达玄纪
申请(专利权)人:爱科来株式会社
类型:发明
国别省市:

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