包含屈服板的流体分配歧管制造技术

流体分配歧管包括第一板，第一板包括长度维度、宽度维度和厚度，厚度允许第一板在第一板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形。第二板包括长度维度、宽度维度和厚度，厚度允许第二板在第二板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形。至少第一板和第二板的至少一部分限定了表面起伏图案，其限定了流体流动的引导路径。第一板和第二板接合在一起，形成在沿长度维度和宽度维度的至少其一的高度维度上非平面的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及气体或液体材料的扩散流动，尤其是在薄膜材料的沉积期间，更特别的涉及装置，该装置用于使用分配或输送头引导同时的气体流动到基材上而将原子层沉积在基材上。
技术介绍
在广泛用于薄膜沉积的技术中包括化学气相沉积(CVD)，其使用在反应室中反应的化学活性分子将期望的薄膜沉积在基材上。可用于CVD应用的分子前体包含要沉积的薄膜元素(原子)成分，典型地还包括其他元素。CVD前体是挥发性分子，其以气态输送到室中，以在基材上反应，形成其上的薄膜。化学反应沉积出具有期望薄膜厚度的薄膜。 大部分CVD技术共同之处需要将ー个或多个分子前体的良好受控流体施加在CVD反应器中。在受控的压カ条件下，将基材保持在良好受控的温度下，以促进分子前体间的化学反应，同时有效去除副产物。得到最佳CVD性能需要在整个过程中达到并保持气体流、温度、和压カ的稳态条件的能力，以及最小化或消除瞬态(transient)的能力。尤其在半导体、集成电路、和其他电子装置的领域中，需要薄膜，尤其是更高的质量、更致密的薄膜，具有优秀的保形涂层性能，超越传统CVD技术的现有限制，尤其是可以在更低的温度下制造的薄膜。原子层沉积(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.27 US 12/606,2281.流体分配歧管，其包含 包括长度维度和宽度维度的第一板，该第一板包括允许第一板在第一板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形的厚度；和 包括长度维度和宽度维度的第二板，该第二板包括允许第二板在第二板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形的厚度，至少第一板和第二板的至少一部分限定了表面起伏图案，所述表面起伏图案限定了流体流动的引导路径，第一板和第二板接合在一起，在沿长度维度和宽度维度的至少其一的高度维度上形成非平面的形状。2.权利要求I的歧管，其中非平面形状包括曲率半径。3.权利要求I的歧管，其中非平面形状包括高度上的周期性变化。4.一种在基材上沉积薄膜材料的方法，包含 提供基材； 提供流体分配歧管，该歧管包括 包括长度维度和宽度维度的第一板，该第一板包括允许第一板在第一板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形的厚度； 包括长度维度和宽度维度的第二板，第二板包括允许第二板在第二板的长度维度和宽度维度的至少其一上变形的厚度，至少第一板和第二板的至少一部分限定了表面起伏图案，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·S·克尔，D·H·利维，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：