【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及到制造装置。更具体地，本专利技术涉及到在制造装置中使用的电极。专利技术背景 用于在载体上沉积材料的制造装置已经在本领域内被熟知。这类制造装置包括限定腔室的外売。通常地，载体大体上是U形的，具有彼此间隔的第一端和第二端。通常地，插座被布置在载体的每个端。通常地，两个或者多个电极被布置在腔室内以用于接收布置在载体的第一端和第二端的各自的插座。电极还包括具有接触区的外部表面，其支撑插座，并且最終地，支撑载体以阻止载体相对于外壳移动。接触区是电极的部分，其适于直接与插座接触,并且提供从电极到插座并进入载体的主电流通路。将电源耦合到电极以用于为载体提供电流。电流加热电极和载体两者至沉积温度。通过在沉积温度下将材料沉积到载体上来形成处理的载体。如本领域中已知的，为了补偿沉积在载体上的材料由于载体被加热到沉积温度的热膨胀，电极和插座的形状中存在变化。一种这类方法使用平头电极和石墨滑块形式的插座。石墨滑块担当载体和平头电极之间的桥接器。作用在接触区上的载体和石墨滑块的重量减小石墨滑块和平头电极之间的接触电阻。另ー种这类方法涉及两部分电极的使用。两部分电极包括用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.09 US 61/250,3401.一种用于在载体上沉积材料的制造装置，该载体具有彼此间隔的第一端和第二端且带有被布置在所述载体的每个端的插座，所述装置包括 外壳，其限定了腔室； 入口，其被限定为穿过所述外売，以用于将气体引入所述腔室； 出口，其被限定为穿过所述外売，以用于将所述气体从所述腔室排出； 至少ー个电极，其被布置穿过所述外壳且所述电极至少部分地被布置于所述腔室内，以用于与所述插座耦合，所述电极包括 轴，其具有第一端和第二端； 头部，其被布置在所述轴的所述端之一上，其中所述电极的所述头部具有外部表面，所述外部表面具有适于接触所述插座的接触区； 电源设备，其被耦合到所述电扱，以用于将电流提供到所述电扱；以及 外部涂层，其被布置在所述接触区外的所述电极的所述外部表面上，以mm3/N*m度量，所述外部涂层具有比镍更大的耐磨性。2.根据权利要求I所述的制造装置，其中，所述电极由基体金属形成，并且其中，所述外部涂层被直接布置在所述电极的所述基体金属上。3.根据权利要求2所述的制造装置，其中，所述基体金属从铜、银、镍、铬镍铁合金 、金、以及其合金的组中选择。4.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述外部涂层还被限定为物理气相沉积涂层或者等离子辅助化学气相沉积涂层之一。5.根据权利要求1-3中的任一项所述的制造装置，其中，所述外部涂层还被限定为动态化合沉积涂层。6.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，按照ASTMG99-5，所述外部涂层具有至少为6X 106mm3/N*m的耐磨性。7.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述外部涂层在室温下具有小于7 X IO6姆欧/米的电导率。8.根据权利要求7所述的制造装置，其中，所述外部涂层包含类金刚石碳化合物。9.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述接触区没有被布置在其上的涂层。10.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述外部涂层被布置在所述轴和所述接触区外的所述头部中的至少ー个上。11.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述外部涂层被布置在所述轴上和所述接触区外的所述头部上，并且其中所述轴上的所述外部涂层包含不同于所述头部上的所述外部涂层的材料。12.根据权利要求1-10中的任一项所述的制造装置，其中，所述轴没有被布置在其外部表面上的涂层。13.根据任一前述权利要求所述的制造装置，其中，所述外部涂层具有从大约O.I到大约5 μ m的厚度。14.ー种电极，其与制造装置一起使用以将材料沉积在载体上，所述载体具有彼此间隔的第一端和第二端且带有被布置在所述载体的每个端的插座，所述电极包括轴，其具有第一端和第二端； 头部，其被布置在所述轴的所述端之一上，其中，所述头部具有外部表面，所述外部表面具有适于接触所述插座的接触区；以及 外部涂层，其被布置在所述接触区外的所述电极的所述外部表面上，以mm3/N*m度量，所述外部涂层具有比镍更大的耐磨性。15.根据权利要求14所述的电极，其中，所述电极由基体金属形成，并且其中，所述外部涂层被直接布置在所述电极的所述基体金属上。16.根据权利要求15所述的电极，其中，所述基体金属从铜...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·希拉布兰德，K·麦科伊，
申请(专利权)人：赫姆洛克半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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