一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源制造技术

本发明专利技术提供一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，包括合束器、一段YDF、光隔离器、光纤端帽、半导体泵浦激光器和另一小段长度YDF。其特点是：光输出端仅需要熔接一小段未泵浦状态的YDF，利用YDF对ASE光信号的二次吸收作用，有效地处理与平坦输出ASE光谱谱形。将盘有YDF的光路盒置于一温度可控的简易加热盘上面，调节与控制YDF的工作温度，进一步平坦输出ASE光谱谱形，有效地提高了ASE光输出光谱带宽。此外，在非输出端方向，熔接基于一小段多模光纤研磨与镀膜方式制作的光纤端帽，用于抑制光纤端面光反射，避免自激振荡形成激光输出，可以保证增加泵浦功率时，有效地提高ASE光输出功率规模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到光纤传感、光纤通信以及光器件測量等领域所应用的光源，尤其是ー种1064nm波段高输出功率和宽带的ASE光纤光源。
技术介绍
1064nm波段ASE光源，基于稀土掺杂 光纤的放大自发福射(AmplifiedSpontaneous Emission)原理制作，简称ASE光源。与低输出功率、超宽带的发光二极管(LED)或超福射发光二极管(SLD)相比,其一 ASE光源通过一段掺杂镱离子光纤提供很高的放大增益，不仅得到较高功率的宽带辐射，而且易干与光纤系统有效的进行耦合；其ニ稀土镱离子能级比半导体ニ极管的能级稳定，因此ASE光源具有较好的光谱稳定性；其三ASE光源的寿命比目前广泛应用的LED或SLD寿命要长、偏振相关性要低、可靠性要高。目前传统ASE光源一般米用单模纤芯泵浦技术,但存在一些无法克服的缺点。一方面稀土高掺杂单包层光纤、980nm或1480nm单模半导体泵浦激光器等价格昂贵，生产成本高；另一方面传统ASE光源的光谱带宽虽然可以做到较宽，但ASE光输出功率明显较低，仅l(MT20mW左右。对于光纤传感系统、光器件分析測量等ー些应用场合，十分迫切的需要高功率、宽带A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于包括半导体泵浦激光器(8)、合束器(I)、第一有源双包层光纤(2)、第一光隔离器(6)、光路盒(14)、温度可控加热盘(15)、第二有源双包层光纤(9)和光纤端帽(7)，所述半导体泵浦激光器(8)的输出尾纤与合束器(I)的泵浦输入光纤(5)相连,合束器(I)的输出无源双包层光纤(3)与第一有源双包层光纤(2) —端相连,第一有源双包层光纤(2)另一端与第一光隔离器(6)输入端相连；第一有源双包层光纤(2)位于所述光路盒(14)中，光路盒(14)置于所述温度可控加热盘(15)上，第一光隔离器(6)输出端熔接有光纤端帽(7)相连；合束器(I)的输入无源双包层光纤(4)与第二有源双包层光纤(9 ) 一端相连,第二有源双包层光纤(9 )另一端与第二光隔离器(10)输入端相连,第二光隔离器(10)输出端作为ASE光输出端。2.如权利要求I所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于第一有源双包层光纤(2)与第二有源双包层光纤(9)的纤芯直径为7 30i!m，内包层直径为125 250 iim，纤芯数值孔径为0. 06 0. 20，对800 IOOOnm泵浦光吸收系数大于0. 5dB/m ;第一有源双包层光纤(2)长度为2 15米，所述第二有源双包层光纤(9)为未泵浦状态的，长度为0.2 5米。3.如权利要求2所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于第一有源双包层光纤(2)的长度大于第二有源双包层光纤(9)的长度。4.如权利要求I所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于所述合束< 器(I)类型为(n+1) Xl，n彡I ;所述合束器(I)的输入无源双包层光纤(4)与输出无源双包层光纤(3)纤芯直径为7 30 ii m，内包层直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨中民，杨昌盛，徐善辉，张勤远，邱建荣，姜中宏，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：