【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及ー种电流源电路。
技术介绍
电流源电路是集成电路系统中非常重要的基本电路之一，它为芯片中其他模块的正常工作提供了必要的偏置电流，因此它的性能在很大程度上影响了芯片的整体性能。如图I所示，为传统的电流源电路的电路结构图，该电流源电路包括四个MOS管M1、M2、M3、M4和一个电阻；其中MOS管M3和M4构成共源共栅电流镜结构，所以，M3的源漏电流和M4的源漏电流成一定比例关系。电流源电路通常能够输出较为稳定的參考电流；但是，由于环境温度或者芯片运行时间的影响，芯片周围的温度会有所改变，造成电流源电路输出的參考电流有所变化。电流源电路输出的參考电流随温度的变化系数通常称为电流源电路的温度系数。现有技术中，多数应用的电流源电流的温度系数都较大，如为1000ppm/°C左右，电流 源电路的温度系数无法达到较小的范围。这就造成很多电流源电路无法在某些有特定要求的电路中使用，例如，家庭智能系统等应用场合中，通常要求电流源电路的温度系数要尽量低，但是，现有的大多数电流源电路都无法满足这ー要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电流源电路，包括两个PMOS管、三个NMOS管以及一个电阻，其特征在于， 第一 PMOS管的源极连接到电源，栅极与漏极相连； 第二 PMOS管的源极连接到所述电源，栅极与所述第一 PMOS管的栅极相连； 第一 NMOS管的源极接地，漏极与所述第一 PMOS管的漏极相连； 第二 NMOS管的源极与所述第一 NMOS管的栅极相连，栅极与漏极相连，并与所述第二PMOS管的漏极相连； 第三NMOS管的源极通过第一电阻接地，栅极与所述第二 NMOS管的栅极相连，漏极与所述第一 NMOS管的栅极相连； 所述第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管以及所述第三NMOS管均工作在饱和区。2.根据权利要求I所述的电流源电路，其特征在于，所述第一PMOS管的沟道宽长比与所述第二 PMOS管的沟道宽长比相同。3.根据权利要求I所述的电流源电路，其特征在于，所述第一电阻的电阻值R满足4.根据权利要求I至3中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵喆，陈岚，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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