【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单斜相Ga2S3晶体作为红外波段ニ阶非线性光学材料的应用及其制备方法，属于材料科学领域和光学领域。
技术介绍
目前非线性晶体材料由于激光技术的应用越来越引起大家的重视，尤其是深紫外 和中远红外波段的ニ阶非线性晶体材料由于种类较少，还无法满足应用的需求，而成为各国科学家研究的热点。硫属化合物体系正在成为中远红外ニ阶非线性晶体研究的方向，其中诸如AgGaS2 (AGS)、AgGaSe2 (AGSe)、BaGa4S7 (BGS)等已获得产业化和商品化。这些硫属化合物多为三元及三元以上化合物，ニ元硫属化合物的ニ阶非线性性质研究较少。ニ元硫属化合物相对于这些三元及其以上化合物，往往具有结构简单、合成方便、物化性能稳定等优点。Ga2S3有三种晶相单斜相(Ce)、六方相(P63mc)和立方相(F_43m)，都结晶于非心空间群，意味着Ga2S3可能具有ニ阶非线性光学效应。1961年,Goodyear等人在Acta Cryst.中首次报道了 Ga2S3的单斜相结构(Ce)。通过文献调研，至今没有关于Ga2S3作为红外ニ阶非线性光学材料应用的报道。Ga2S3的已知制备...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.单斜相Ga2S3作为红外波段ニ阶非线性光学材料的应用。2.如权利要求I所述的单斜相Ga2S3作为红外波段ニ阶非线性光学材料的应用，其特征在于该材料在1910 nm处相位匹配，粉末倍频信号...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明建，郭国聪，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：
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