太阳能电池制造技术

一种太阳能电池包括一半导体基板以及一复合多功能保护膜。半导体基板的表面具有一掺杂层，掺杂层的深度介于200nm至1000nm之间，掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020atoms/cm3之间。复合多功能保护膜设置在掺杂层上，复合多功能保护膜具有复数膜层，达到钝化、抗反射及保护的功能。所述膜层最接近掺杂层的一层，其膜层厚度小于40nm。本实用新型专利技术的太阳能电池有别于现行半导体基板的高表面掺杂浓度，利用较低表面掺杂浓度方式，达到降低再结合损失的目的，进而提升光电转换效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术关于ー种太阳能电池。
技术介绍
由于石化能源短缺，人们对环保重要性的认知提高，因此人们近年来不断地积极研发替代能源与再生能源的相关技术，希望可以减少目前人类对于石化能源的依赖程度以及使用石化能源时对环境带来的影响。在众多的替代能源与再生能源的技术中，以太阳能电池(solar cell)最受瞩目。主要是因为太阳能电池可直接将太阳能转换成电能，且发电过程中不会产生ニ氧化碳或氮化物等有害物质，不会对环境造成污染。一般而言，公知硅晶太阳能电池通常是在半导体基板的表面利用扩散(diffusion)或离子布植(ion implantation)方式来掺杂反态杂质(counter-doping)以形成掺杂层并制作电极。当光线从外侧照射至硅晶太阳能电池时，掺杂层因受光子激发而 产生自由电子-电洞对，并通过P-N结所形成的内电场使电子与电洞分离，且分别往两端移动，而产生电能的形态，此时若外加负载电路或电子装置，便可提供电能而使电路或装置进行驱动。然而，在现行硅晶太阳能电池的掺杂层的表面掺杂浓度往往高于lX1021atoms/cm3,这些浓度过高的表面掺杂成为大量的再结合中心(recombina本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种太阳能电池，其特征在于，包括 一半导体基板，其表面具有一掺杂层，所述掺杂层的深度介于200nm至IOOOnm之间,所述掺杂层的表面掺杂浓度介于I X IO19至5X 102°atomS/Cm3之间；以及 一复合多功能保护膜，设置在所述掺杂层上，所述复合多功能保护膜具有多个膜层，达到钝化、抗反射及保护的功能，所述膜层最接近所述掺杂层的ー层，其膜层厚度小于40nm。2.根据权利要求I所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体基板为P型半导体基板或...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄尚余，罗珮婷，戴煜暐，陈伟铭，
申请(专利权)人：新日光能源科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：