电容及具有该电容的多层电路板制造技术

一种电容，包括至少两层相互间隔设置的电极层以及夹设于两电极层之间的至少一介电层，所述每一层电极层均包括一正极以及一负极，每两个相邻的所述电极层的极性设置均相反，每一所述正极包括若干相互平行且间隔设置的第一耦合部，所述负极包括若干相互平行且间隔设置的第二耦合部，所述每一电极层上的第一耦合部与第二耦合部相互穿插且平行设置于同一平面上。本实用新型专利技术还提供一种具有上述电容的多层电路板。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容，尤其涉及一种无需占用电路板表层的布线面积的电容及具有该电容的多层电路板。
技术介绍
电容被大量使用于各种电子产品当中，以满足电子产品的不同操作频段以及功能的需求。电容一般都由两片相对设置的金属极板组成，其电容量与耦合面积成正比，与介电层厚度成反比。因此，要获取较大电容量时，通过增加金属极板大小或者减小介电层厚度的手段来实现。然而，上述两种手段中前者浪费电路板上的布线面积，后者则影响该层电路板 上的其它信号线的阻抗匹配。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种在不增加电极整体尺寸的前提下，能节省电路板表层布线面积且容量较大的电容。另，还有必要提供一种具有上述电容的多层电路板。一种电容，包括至少两层相互间隔设置的电极层以及夹设于两电极层之间的至少一介电层，所述每一层电极层均包括一正极以及一负极，每两个相邻的所述电极层的极性设置均相反，每一所述正极包括若干相互平行且间隔设置的第一耦合部，所述负极包括若干相互平行且间隔设置的第二耦合部，所述每一电极层上的第一耦合部与第二耦合部相互穿插且平行设置于同一平面上。优选的，所述正极还包括连接所述若干第一耦合部的一第一连接部，所述负极还包括连接所述若干第二耦合部的第二连接部。优选的，所述电容还包括若干电连接部，所述电连接部分别贯通电容的相对两端的第一连接部或者第二连接部设置，用以分别连接电容相对两端的正极或者负极。一种多层电路板，包括顶层、底层、夹设于所述顶层与底层之间的若干层中间层以及设置于中间层上的电容，所述电容包括至少两层电极层，所述每两层电极层之间夹设一中间层，且每一层电极层均包括一正极以及一负极，每两个相邻的所述电极层的极性设置均相反，每一所述正极包括若干相互平行且间隔设置的第一耦合部，所述负极包括若干相互平行且间隔设置的第二耦合部，所述每一电极层上的第一耦合部与第二耦合部相互穿插且平行设置于同一平面上。优选的，所述正极还包括连接所述若干第一耦合部的一第一连接部，所述负极还包括连接所述若干第二耦合部的第二连接部。优选的，所述电容还包括若干电连接部，所述电连接部分别贯通电容的相对两端的第一连接部或者第二连接部设置，用以分别连接电容相对两端的正极或者负极。所述电容于各电极层上均设置一梳状或者指状结构的正极以及负极，并将所述正极与负极相互穿插设置，以增加该正极与负极之间的耦合系数，并将每两个相邻的电极层的极性设置相反，以增加各电极层之间的耦合系数，从而在不增加电极整体尺寸的前提下提供一较大的电容量。 另，所述电容机构设置于多层电路板的中间层，而无需占用该多层电路板表面的布线空间。附图说明图I是本技术的电容的立体组装图。图2是图I所示电容的立体分解图。图3是具有图I所示电容的多层电路板的立体分解图。图4是图3所示的多层电路板的立体剖视图。图5是图4中V部分的放大图。主要元件符号说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容，包括至少两层相互间隔设置的电极层以及夹设于两电极层之间的至少一介电层，其特征在于所述每一层电极层均包括一正极以及一负极，每两个相邻的所述电极层的极性设置均相反，每一所述正极包括若干相互平行且间隔设置的第一耦合部，所述负极包括若干相互平行且间隔设置的第二耦合部，所述每一电极层上的第一耦合部与第二耦合部相互穿插且平行设置于同一平面上。2.如权利要求I所述的电容，其特征在于所述正极还包括连接所述若干第一耦合部的一第一连接部，所述负极还包括连接所述若干第二耦合部的第二连接部。3.如权利要求2所述的电容，其特征在于所述电容还包括若干电连接部，所述电连接部分别贯通电容的相对两端的第一连接部或者第二连接部设置，用以分别连接电容相对两端上的正极或者负极。4.一种多层电路板，包括顶层、底层以及夹设于所述顶层与底层...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖盈佐，苏晓芸，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：