【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，属于集成电路及电子元器件检测领域。
技术介绍
功率MOSFET(金属ー氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管，功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET単元。为提高其集成度和耐压性，大都采用垂直结构(即VM0S)，如VVM0S(V型槽结构)、VUM0S、SIPM0S等，由于内含単元多，器件在出厂或是用户收到器件后，易发生损坏现象，用普通的方法不能测得MOSFET的特性，因为大功率MOSFET管在实际工程中多应用到变频、恒流等均接受频率控制的领域，因此，需要使用专门仪器来检测MOSFET管的性能。
技术实现思路
本技术涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，以实现对大功率MOSFET质量检测和评定。为实现上述的目的，本技术采用如下技术方案频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OPl上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过IXD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动増加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况；M0SFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。本技术能批量检测M...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.本实用新型涉及ー种大功率MOSFET管质量检测仪，其特征在于频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OPl上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻Rl，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分...
【专利技术属性】
技术研发人员：淡博，李金录，
申请(专利权)人：哈尔滨智木科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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