本实用新型专利技术公开了一种用于SE工艺印刷正面电极对准的标准片，标准片的边缘尺寸为156±1mm；标准片倒角的尺寸为1.0±0.1mm；标准片主栅线的宽度为1.6±0.1mm；标准片两主栅线之间的距离为52±1mm；标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离为26±1mm；副栅线与标准片边缘的距离为1.5±0.1mm；标准片的厚度为200±20um。在SE工艺中使用本实用新型专利技术提供的一种用于SE工艺印刷正面电极对准的标准片，可以减少假片或真片的使用量，降低失效片数量，达到降低生产成本的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅太阳能电池制造用标准片，具体地涉及到一种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片。技术背景 目前，高效率、低成本是太阳能电池的发展方向，而选择性发射极SE结构是p-n结晶硅太阳能电池エ艺中实现高效率的方法之一。SEエ艺的特点及优势是一、在活性区形成低惨杂浅扩散区，可以在闻载流子广生率的区域获得闻的收集率，提闻电池的短路电流Isc ;ニ、在电极栅线底下及其附近形成高掺杂深扩散区，容易形成欧姆接触，且此区域的体电阻较小，从而降低太阳电池的串联电阻，提高电池的填充因子FF。杂质深扩散可以加深加大横向n+/p结,而横向n+/p结和在低掺杂区和高掺杂区交界处形成的横向n+/n高低结可以提高光生载流子的收集率，从而提高电池的短路电流Isc。另外，深结可以防止电极金属向结区渗透，减少电极金属在禁带中引入杂质能级的几率。实现SE的方法很多，如在硅片表面不同区域沉积不同浓度的磷硅玻璃；在电极区印刷高浓度磷浆后放入扩散炉中扩散处理；激光埋栅等等。虽然上述方法可以制备出高性能的电池片，但是存在成本高，无法批量生产等问题。本技术中涉及的SEエ艺是采用在栅线区域进行喷蜡处理实现的。因此在丝网印刷工序，需要用摄像头校准及确认正面电极的图形与喷蜡区域的图形是否吻合。通常情况下，首先使用假片进行常规的印刷偏移调试，然后使用已镀膜的假片或真片进行摄像头对准，最后再用喷蜡后的假片检查印刷图形与喷蜡区域的吻合度。在此过程中，需要使用一定数量的假片或真片，还会产生ー些失效片，増加了生产成本。本技术中采用ー种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片，減少了假片或真片的使用量，降低失效片数量，达到降低生产成本的目的。
技术实现思路
为了解决上述減少假片或真片使用量的问题，本技术提供了一种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片。本技术解决的问题所采用的技术方案如下一种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片，标准片的边缘尺寸为156± Imm;标准片倒角的尺寸为1.0±0. Imm;标准片主栅线的宽度为1.6±0. Imm;标准片两主栅线之间的距离为52±lmm;标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离为26±lmm;副栅线与标准片边缘的距离为I. 5±0. Imm ;标准片的厚度为200±20um。在SEエ艺中使用本技术提供的一种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片，可以减少假片或真片的使用量，降低失效片数量，达到降低生产成本的目的。附图说明图I为本技术的结构示意图。图中A为标准片的边缘尺寸；B为标准片倒角的尺寸；C为标准片主栅线的宽度；D为标准片两主栅线之间的距离；E为标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离；F为标准片副栅线与标准片边缘的距离。具体实施方式下面结合图I详细说明本技术的具体实施方式。图I公开了ー种用于SEエ艺印刷正面电极对准的标准片，标准片的边缘尺寸A为156 ± Imm ;标准片倒角的尺寸B为I. 0±0. Imm ;标准片主栅线的宽度C为I. 6±0. Imm ;标准片两主栅线之间的距离D为52±lmm ;标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离E为26±lmm ;副栅线与标准片边缘的距离F为I. 5±0. Imm ;标准片的厚度为200±20um。本实施方案中标准片的基体材料为改性聚四氟こ烯，呈蓝色，主栅线和副栅线的颜色为白色，标准片的背景色和主栅线、副栅线的顔色要有明显的色差，满足摄像头的分辨率。主栅线和副栅线的根数以及各个尺寸按照多晶三栅产品来制作。本技术的有益效果是该标准片在用于SEエ艺印刷正面电极的摄像头对准调试的过程中，印刷后附着在把标准片表面的浆料容易被清洗干净，重复使用，減少假片或真片的使用量，降低失效片数量，有效地降低了生产成本。权利要求1.一种用于SE 艺印刷正面电极对准的标准片，其特征在干标准片的边缘尺寸(A)为156±lmm;标准片倒角的尺寸⑶为1·0±0· Imm ;标准片主栅线的宽度(C)为.1.6 + 0. Imm;标准片两主栅线之间的距离(D)为52± Imm ;标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离(E)为26± Imm;副栅线与标准片边缘的距离(F)为I. 5±0· Imm ;标准片的厚度为200±20um。专利摘要本技术公开了一种用于SE工艺印刷正面电极对准的标准片，标准片的边缘尺寸为156±1mm；标准片倒角的尺寸为1.0±0.1mm；标准片主栅线的宽度为1.6±0.1mm；标准片两主栅线之间的距离为52±1mm；标准片其中一条主栅线的边缘与副栅线边缘间的距离为26±1mm；副栅线与标准片边缘的距离为1.5±0.1mm；标准片的厚度为200±20um。在SE工艺中使用本技术提供的一种用于SE工艺印刷正面电极对准的标准片，可以减少假片或真片的使用量，降低失效片数量，达到降低生产成本的目的。文档编号H01L31/18GK202399620SQ20122000853公开日2012年8月29日 申请日期2012年1月10日 优先权日2012年1月10日专利技术者刘香飞, 吴国强, 方智, 王庆钱 申请人:浙江鸿禧光伏科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘香飞，王庆钱，吴国强，方智，
申请(专利权)人：浙江鸿禧光伏科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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