一种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法技术

本发明专利技术涉及一种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法，包含以下步骤：准备待刻录基片、烘干、激光刻录、显影、溅射、电镀，其中在准备待刻录基片时，省去传统工艺中的冲水步骤，从而留有一层底胶，在底胶层甩干旋涂光刻胶之后，底胶上层与光刻胶下层之间反应生成一层不容易显影的中间层反应物，使得显影到达中间层反应物时，沟槽边沿的显影停止，从而阻止了BD-R母盘沟槽顶部倒角的形成，提高了母盘的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉BD-R母盘的加工エ艺，具体地说，是ー种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法。
技术介绍
BD-R母盘是一次可写蓝光母盘的缩写，其生产エ艺主要先后包括了底胶旋涂、光刻胶旋涂、烘干、激光刻录、显影、真空溅射、电镀等，其中，针对于底胶的材料为ニ硅烷和水的传统的底胶旋涂エ艺包括四个步骤I :玻璃以低速旋转，底胶涂覆于玻璃表面井覆盖整个玻璃盘表面。2 :玻璃静止，底胶和玻璃发生反应。3 :反应完成后冲水，将多余的底胶冲走。4 玻璃盘高速旋转，甩干。通过上述四个步骤，从而在玻璃盘表面上形成分子层厚度的一层反应物，该反应物的目的是为了加强光刻胶和玻璃的粘附性。而通过上述传统的生产エ艺制作出来的母盘，通常形成于母盘上的沟槽的顶端容易出现倒角结构，如图I所示，而倒角结构形成的主要体现在显影过程中在显影的开始阶段，显影的方向是向下为主，在沟槽中心显影速度快，而朝沟槽边沿逐渐变慢。但是当中心位置显影到达玻璃表面后，中心位置向下的显影将停止，而沟槽边沿处还有沿着玻璃表面有速度很慢的显影，从而导致沟槽顶部倒角的出现，见图2。而倒角结构的存在会对母盘后续的复制エ艺产生严重的不良影响，从而影响整个母盘的质量。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于通过现有技术中的方法制成的底胶材料为ニ硅烷和水的母盘上的沟槽的顶端容易出现倒角结构，而影响母盘的复制性能，提供ー种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法。为解决上述技术问题，本专利技术的一种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法，其特征在干包含以下步骤准备待刻录基片；a、清洗玻璃基片；b、往玻璃基片上旋涂底胶，所述底胶材料为ニ硅烷和水；C、使底胶旋涂完毕的玻璃基片静止，待底胶下层的与玻璃基片接触的部分与玻璃基片反应形成ー层分子层厚度的薄膜；d、将玻璃基片旋转甩干至底胶中的水全部甩出；e、对甩干后的玻璃基片进行光刻胶的旋涂，使底胶上层与光刻胶下层之间反应生成一层中间层反应物；将旋涂过光刻胶的玻璃基片进行烘干；将烘干后的玻璃基片进行激光刻录；将激光刻录后的玻璃基片进行显影；将显影后的玻璃基片上淀积需要厚度的金属镍。所述底胶的体积百分比浓度为O. 6% -I%，所述底胶的反应时间为28-34秒。所述光刻胶的涂覆厚度为20-30纳米，所述激光的刻录功率为20-28毫瓦。所述烘干温度为80°C -95°C。所述底胶的体积百分比浓度为O. 6%，所述底胶反应时间为34s，所述甩干时间不小于200秒，所述烘干温度为85°C。 所述底胶的体积百分比浓度为O. 8%，所述底胶反应时间为30s，所述甩干时间不小于200秒，所述烘干温度为90°C。所述底胶的体积百分比浓度为I. 0%，所述底胶反应时间为28s，所述甩干时间不小于200秒，所述烘干温度为93°C。所述金属镍的淀积方式为电镀或溅镀或化学涂覆。所述金属镍的淀积方式为溅镀，通过真空溅射在显影后的玻璃表面溅射ー层厚度在50-60纳米的金属镍层，然后通过电镀エ艺，将溅射完后的金属镍层加厚到300微米。旋涂底胶的速度为5-10转/分钟，玻璃基片旋转的速度为1500-2000转/分钟。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点I、本专利技术在准备待刻录基片的步骤中，旋涂完底胶，待底胶与玻璃基片反应一定时间后，不再经过冲水步骤将玻璃基片上多余的底胶冲走，直接甩干后旋涂光刻胶，而这些多余的底胶在旋涂上光刻胶后，能够与光刻胶发生反应生成一层中间层反应物，该中间层反应物具有不容易显影的特点，当显影过程进行到达该中间层反应物时，沟槽中心位置向下的显影停止，而沟槽边沿处的显影因为中间层反应物不容易显影的特点，而停止了沿着中间层反应物表面显影的动作，从而防止了母盘沟槽顶部倒角的出现，提高了母盘的质量。2、在本专利技术中，针对体积百分比浓度为O. 6% -I %的底胶，对各エ艺參数调整为所述底胶的反应时间为28-34秒；所述光刻胶的涂覆厚度为20-30纳米；所述激光的刻录功率为20-28毫瓦；所述烘干温度为80°C -95°C。这些參数的调整能够在保证去除倒角的同时，使母盘获得较低的粗糙度，以及合适的沟槽深度。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进ー步详细的说明，其中图I是电子显微镜下的传统エ艺制作的母盘的表面结构；图2是在显影过程中形成有倒角的示意图；图3是电子显微镜下的本专利技术采用的エ艺制作的母盘的表面结构；图4是本专利技术实验ニ中甩干时间作为变量的实验结果图。具体实施例方式实施例I本实施例的一种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法包含以下步骤(I)准备待刻录基片a、清洗玻璃基片；b、往玻璃基片上旋涂底胶，底胶旋涂的速度为5-10转/分钟，底胶材料为ニ硅烷和水,底胶的体积百分比浓度为O. 8% ;C、使底胶旋涂完毕的玻璃基片静止，待底胶下层的与玻璃基片接触的部分与玻璃基片反应形成ー层分子层厚度的薄膜，底胶的反应时间为30秒；d、将玻璃基片旋转甩干至底胶中的水全部甩出，一般所述甩干时间不小于200秒；玻璃基片旋转的速度为1500-2000转/分钟；e、对甩干后的玻璃基片旋涂厚度为25纳米的光刻胶，使底胶上层与光刻胶下层之间反应生成一层中间层反应物；(2)将旋涂过光刻胶的玻璃基片进行烘干，所述烘干温度为90°C ；将MASTER放置于ー个加热盘上进行烘干。其作用有a :去除光刻胶层中残留的溶液b :调整光刻胶的活性。(3)将烘干后的玻璃基片进行激光刻录；激光刻录机属于激光直写设备，通常使用的波长为266纳米的紫外激光，利用声光调解器(AO M0DUALTER)和声光偏向器(AO DEFLECTOR)对激光束进行强度和方向的调制，通过转动和近动两个自由度的配合控制，可以让激光扫描整个エ件表面，加工出螺旋形的线条；在激光照射过的部分光刻胶的特性会发生变化，但此步骤中还没有形成真正沟槽，真正的沟槽要在显影后才会生成，所述激光的刻录功率为25毫瓦。(4)将激光刻录后的玻璃基片进行显影；显影过程是利用显影液和特性变化后的光刻胶发生化学反应，生成溶于水的物质。这些溶于水的物质被水流冲走后就形成了我们需要的沟槽结构。(I)将显影后的玻璃基片上淀积需要厚度的金属镍。所述金属镍的淀积方式为电镀或溅镀或化学涂覆，在本实施例中为溅镀，利用真空溅射的原理在显影完的玻璃表面溅射ー层厚度在50-60纳米的金属镍层，这样光刻胶表面的结构就转移到了金属镍的表面。然后再利用电化学镀膜エ艺，将溅射完后的金属镍层加厚到300微米。本专利技术在准备待刻录基片的步骤中，旋涂完底胶，待底胶与玻璃基片反应一定时间后，不再经过冲水步骤将玻璃基片上多余的底胶冲走，而是直接甩干后旋涂光刻胶，而这些多余的底胶在旋涂上光刻胶后，能够与光刻胶发生反应生成一层中间层反应物，该中间层反应物具有不容易显影的特点，当显影过程进行到达该中间层反应物时，沟槽中心位置向下的显影停止，而沟槽边沿处的显影因为中间层反应物不容易显影的特点，而停止了沿着中间层反应物表面显影的动作，从而防止了母盘沟槽顶部倒角的出现，提高了母盘的质 量。在去除倒角后，为了保证母盘表面合适的粗糙度以及沟槽深度，还需调整各參数，除了光刻胶的涂覆厚度、以及激光刻录功率需提高之外，从下面的实验数据可知，选取合适的底胶浓度、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除BD-R母盘沟槽顶部倒角的方法，其特征在于包含以下步骤 准备待刻录基片； a、清洗玻璃基片； b、往玻璃基片上旋涂底胶，所述底胶材料为二硅烷和水； C、使底胶旋涂完毕的玻璃基片静止，待底胶下层的与玻璃基片接触的部分与玻璃基片反应形成一层分子层厚度的薄膜； d、将玻璃基片旋转甩干至底胶中的水全部甩出； e、对甩干后的玻璃基片进行光刻胶的旋涂，使底胶上层与光刻胶下层之间反应生成一层中间层反应物； 将旋涂过光刻胶的玻璃基片进行烘干； 将烘干后的玻璃基片进行激光刻录； 将激光刻录后的玻璃基片进行显影； 将显影后的玻璃基片上淀积需要厚度的金属镍。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于所述底胶的体积百分比浓度为0.6%-1%，所述底胶的反应时间为28-34秒。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述光刻胶的涂覆厚度为20—30纳米，所述激光的刻录功率为20-28毫瓦。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述烘干温度为80°C-95°C。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑飞，丛森，
申请(专利权)人：江西华文光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：