压电体膜、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用压电发电元件的发电方法技术

本发明专利技术的压电体膜具备具有（001）取向的NaxLa1-xNiO3－x层和具有（001）取向的(Na,Bi)TiO3－BaTiO3层，x为0.01以上0.1以下，NaxLa1-xNiO3-x（0.01≤x≤0.1）层和(Na,Bi)TiO3－BaTiO3层被叠层。本发明专利技术的目的在于提供一种含有无铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT同样的高压电性能的压电体膜及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备压电体层的压电体膜。本专利技术还涉及具备该压电体膜的喷墨头和使用该喷墨头形成图像的方法、具备该压电体膜的角速度传感器和使用该传感器测定角速度的方法、以及具备该压电体膜的压电发电元件和使用该元件的发电方法。
技术介绍
锆钛酸铅(PZT Pb (ZrxTi1JO3^O < x < I)是能够储存较大电荷的代表性的强介电材料。PZT被用于电容器和薄膜存储器。PZT具有基于强介电性的热电性和压电性。PZT具有高的压电性能。通过调整组成或添加元素，能够容易地控制PZT的机械品质系数Qm。 这使得PZT在传感器、致动器、超声波电动机、滤波电路和振荡器中的应用成为可能。但是，PZT含有大量的铅。近年来，担心由于来自废弃物的铅的溶出导致对于生态体系和环境的严重的损害。所以，国际上也开始限制铅的使用。因此，需求与PZT不同的不含铅的强介电材料(无铅强介电材料)。现在正在开发的无铅(lead-free)强介电材料的一例是由铋(Bi )、钠(Na)、钡(Ba)和钛(Ti)构成的钙钛矿型复合氧化物Ti03。专利文献I和非专利文献I公开了在钡的量I (= )为5 10%时，该强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：张替贵圣，田中良明，足立秀明，藤井映志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：