耦合结构及其形成方法技术

用于将压电材料产生的应力耦合到集成电路的致动器件的耦合结构包括：形成在压电(PE)材料和所述致动器件周围的刚硬的刚性体结构，所述致动器件包括具有取决于施加至其上的压力的电阻的压阻(PR)材料；和形成在PE材料和PR材料周围的软的缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述PE及PR材料与所述刚性体结构之间，其中对于所述PE和PR材料形成于其上的基底，所述刚性体结构夹住所述PE和PR材料两者，且其中所述软的缓冲结构允许所述PE材料相对于所述PR材料运动的自由，由此将由向所述PE材料施加的电压产生的应力耦合到所述PR材料以改变所述PR材料的电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及集成电路器件，且更具体地，涉及用于将压电材料产生的应力耦合到形成于集成电路中的器件的耦合结构。
技术介绍
互补场效应晶体管(FET)支持当前在逻辑(logic)和存储(memory)中使用的标准计算机体系结构(computer architecture) (CMOS)。FET利用高的沟道(channel)迁移 率(mobility)来以静电方式控制少子电流(few-carrier current)。但是，在当前和未来的器件规模方面，在这种高度成功的技术中的局限性正显现出来。更特别地，在可放大性(scalability)方面的困难由于短沟道效应和少掺杂剂波动效应(few-dopant fluctuation effect)而产生。HfO2栅极氧化物短沟道方案导致使时钟速度不断减慢的迁移率限制(摩尔定律按比例缩放(scaling)变成负的)。其中栅极电容对应于栅极面积但是其中电流对应于沟道宽度/沟道长度(导致速度 1/L2)的不利的FET几何结构意味着FET是相对高阻抗的器件。因此，在“高耗电(power hungry)”的应用例如对PCM存储器进行编程、驱动长的线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小虎，D纽恩斯，L克鲁辛伊鲍姆，GJ马丁纳，BG埃尔姆格林，陈冠能，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：