本实用新型专利技术公开了一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，它包括主路内导体（1）、耦合块（2）、纵向外壳（3）、高阻抗线（4）和横向外壳（5），主路内导体（1）设置于纵向外壳（3）内，耦合块（2）和高阻抗线（4）设置于横向外壳（5）内，主路内导体（1）与耦合块（2）之间的间距可调，主路内导体（1）垂直设置于耦合块（2）的一端，耦合块（2）的另一端与高阻抗线（4）相连；所述的耦合块（2）是低阻抗耦合块，所述的主路内导体（1）为加宽型主路内导体，所述的高阻抗线（4）为加长型高阻抗线。本实用新型专利技术大大降低耦合度波动，并且将频带拓展到0.7GHz-3.5GHz，具有生产工艺简单、成本大大降低的优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构。
技术介绍
微波耦合器是一种将主路输入微波信号能量耦合出一定能量的器件，传统的耦合器包括以下两种耦合结构:(1)点耦合结构:通常利用两根内导体之间的空间进行耦合，通过调节耦合块与主路内导体之间的距离来调整耦合度，这种耦合结构在耦合度为40dB±ldB范围内的相对带宽只能到20%以内，无法实现宽带耦合，如图1所示，传统点耦合结构保证了耦合器的小体积和高互调性能，但是在五倍频程左右的带宽范围内其耦合波动范围达到了 15.56dB，图1 中 ml (0.7000，-48.2351)、m2 (3.5000，-32.6748)。(2)多级级联耦合结构:这种技术方案是采用1/4波长结构实现的，如果要实现5倍频程带宽，最少需要采用三级级联耦合的方式来实现，这种方式可以较好地实现宽带性能，但是由于采用的是1/4波长线来实现，其体积明显增加(约为点耦合结构的3倍)，并且装配难度也明显增加，无法实现小体积结构。如今，用户对产品的兼容性要求比较高，要求产品具有超宽带性能，同时也要求耦合器体积小、互调性能好，耦合度波动小，耦合频带宽，因此在保证耦合器小体积及高互调的情况下，如何有效地增加产品的工作带宽且具备小纹波，成为了当今耦合器主要研宄方向。现有的高互调超宽带紧缩型耦合结构及其尺寸如图2所示:外壳的直径为16mm，主路内导体的直径为4.8_，親合块的长度为9.7_，高阻抗线的长度为1_。然而现有的親合结构只能将频带拓宽到0.7-2.7GHz的范围内，耦合度波动达到了 1.ldB，并且不能达到5被频超宽带紧缩的效果。【
技术实现思路
】本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种大大降低耦合度波动的5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，将频带拓展到0.7GHz-3.5GHzο本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，它包括主路内导体、親合块、纵向外壳、高阻抗线和横向外壳，主路内导体设置于纵向外壳内，耦合块和高阻抗线设置于横向外壳内，主路内导体与耦合块之间的间距可调，主路内导体垂直设置于耦合块的一端，耦合块的另一端与高阻抗线相连；耦合块为加粗型耦合块，其外径略小于横向外壳的内径，且不与横向外壳内壁接触；所述的耦合块是低阻抗耦合块，所述的主路内导体为加宽型主路内导体，所述的高阻抗线为加长型高阻抗线。所述的纵向外壳的直径为16mm，所述的主路内导体的直径为7mm，所述的高阻抗线的长度为4mm，所述的親合块的长度为6mm。所述的耦合块的阻抗范围为1-10欧姆之间。本技术的有益效果是:(1):本技术同时具备点耦合结构体积小、互调性高的特点，而且本技术还同时具有多级级联耦合结构的良好带宽性能的耦合结构；(2)本技术实现了在5倍频的情况下，达到了有效地改变耦合度的平坦度的效果，是平坦度达到1.7 dB以内；(3)本技术将耦合度波动控制到0.49dB，三阶互调为-167dBc@2*43dBm，其耦合度波动与改进前的耦合度波动相比较，有了大幅改进；(4)采用本技术的设计的带宽可以宽到0.7GHz-3.5GHz，并在已完成的宽带产品中得到验证，工艺简单，大大缩小了宽带产品的成本。【附图说明】图1为传统点耦合结构的耦合曲线图；图2为现有技术的耦合结构的结构示意图；图3为本技术结构示意图；图4为低阻抗传输线的耦合曲线图；图5为本技术耦合结构的耦合曲线图；图中，1-主路内导体，2-耦合块，3-纵向外壳，4-高阻抗线，5-横向外壳。【具体实施方式】下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图3所示，一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，它包括主路内导体1、耦合块2、纵向外壳3、高阻抗线4和横向外壳5，主路内导体I设置于纵向外壳3内，耦合块2和高阻抗线4设置于横向外壳5内，主路内导体I与耦合块2之间的间距可调，主路内导体I垂直设置于耦合块2的一端，耦合块2的另一端与高阻抗线4相连；耦合块2为加粗型耦合块，其外径略小于横向外壳5的内径，且不与横向外壳5内壁接触；所述的耦合块2是低阻抗耦合块，所述的主路内导体I为加宽型主路内导体，所述的高阻抗线4为加长型高阻抗线。如图2和图3所示，在纵向外壳3的直径同样为16mm的情况下，加宽型的主路内导体的直径为7_ (现有技术的主路内导体的直径为4.8_)，親合块的长度为6_ (现有几乎的耦合块的长度为9.7mm)，加长型的高阻抗线的长度为4mm (现有技术的高阻抗线的长度为Imm)。所述的耦合块2的阻抗范围为1-10欧姆之间。如图4所示，阻抗为3欧姆、长度为7mm的同轴线所产生的传输曲线图，在五倍频程左右的带宽范围内其耦合反向波动范围达到11.35dB，图3中:ml(0.7000, -3.71)、m2 (3.5000, -15.06)。最终将两者结合在一起就可以在五倍频程的带宽内有效地改变耦合度的平坦度，使其平坦度达到1.7dB以内。在实际产品中采用这种结构设计的带宽可以宽到0.7GHz-3.5GHz，并在已完成的宽带产品中得到验证，工艺简单，大大缩小了宽带产品的成本。如图5所示，本技术耦合结构的耦合曲线图:M1 (0.7000，-40.3551)、M2 (3.5000，-40.0279)、M3 (1.7200，-39.8663)。可以看出仿真的耦合度波动仅为 0.49dB，三阶互调为-167dBc@2*43dBm，其耦合度波动与改进前的耦合度波动相比较，改善了15.07dB，有大幅改进。【主权项】1.一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，其特征在于:它包括主路内导体(1)、耦合块(2)、纵向外壳(3)、高阻抗线(4)和横向外壳(5)，主路内导体(I)设置于纵向外壳(3)内，耦合块(2 )和高阻抗线(4 )设置于横向外壳(5)内，主路内导体(I)与耦合块(2 )之间的间距可调，主路内导体(I)垂直设置于耦合块(2)的一端，耦合块(2)的另一端与高阻抗线(4)相连；f禹合块(2)为加粗型親合块，其外径略小于横向外壳(5)的内径，且不与横向外壳(5)内壁接触；所述的耦合块(2)是低阻抗耦合块，所述的主路内导体(I)为加宽型主路内导体，所述的高阻抗线(4)为加长型高阻抗线。2.根据权利要求1所述的一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，其特征在于:所述的纵向外壳(3)的直径为16mm，所述的主路内导体(I)的直径为7mm，所述的高阻抗线(4)的长度为4mm，所述的親合块(2)的长度为6mm。3.根据权利要求1所述的一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，其特征在于:所述的耦合块(2)的阻抗范围为1-10欧姆之间。【专利摘要】本技术公开了一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，它包括主路内导体（1）、耦合块（2）、纵向外壳（3）、高阻抗线（4）和横向外壳（5），主路内导体（1）设置于纵向外壳（3）内，耦合块（2）和高阻抗线（4）设置于横向外壳（5）内，主路内导体（1）与耦合块（2）之间的间距可调，主路内导体（1）垂直设置于耦合块（2）的一端，耦合块（2）的另一端与高阻抗线（4）相连；所述的耦合块（2）是低阻抗耦合块，所述的主路内导体（1）为加宽型主路内导体，所述的高阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种5倍频超宽带紧缩型的耦合结构，其特征在于：它包括主路内导体（1）、耦合块（2）、纵向外壳（3）、高阻抗线（4）和横向外壳（5），主路内导体（1）设置于纵向外壳（3）内，耦合块（2）和高阻抗线（4）设置于横向外壳（5）内，主路内导体（1）与耦合块（2）之间的间距可调，主路内导体（1）垂直设置于耦合块（2）的一端，耦合块（2）的另一端与高阻抗线（4）相连；耦合块（2）为加粗型耦合块，其外径略小于横向外壳（5）的内径，且不与横向外壳（5）内壁接触；所述的耦合块（2）是低阻抗耦合块，所述的主路内导体（1）为加宽型主路内导体，所述的高阻抗线（4）为加长型高阻抗线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟秋和，帅红春，邬瑞群，
申请(专利权)人：成都泰格微波技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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