一种去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈，包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括：金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。金属导带双层布置，过孔连接件穿过金属导带，把上下两层的金属导带连接，形成了双微带线单元。两个双微带线单元相对交错放置，等效于去耦电感。而且双微带线单元成扁平状设置，尺寸更加小巧。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路电子
，特别是涉及一种去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈。
技术介绍
在电子设备中，去耦装置是重要的构件之一。例如在磁共振成像系统中，射频系统是重要组成部分，利用不同的射频脉冲序列对物体内的极化原子核(如1H，13C, 19F，23N，3IP, 39K)激发,将产生磁共振(Magnetic Resonance,MR)信号,从而完成发射射频脉冲和接收MR信号的功能。按照功能划分，射频系统包括接收线圈、前置放大器、混频器、自动增益控制器、滤波器、模数转换器、调制解调、耦合器、数模转换器、功分器、功放器、衰减器、发射线圈以及发射/接收切换部件等单元电路。射频线圈根据其结构和用途可以划分为正交线圈、表面线圈以及特殊用途线圈等三种类型。用于发射和接收的正交线圈的两个线圈单元正交放置，彼此相互独立从而避免串扰，可以同时获取二维磁共振信号，使信息量增加，改善图像质量，加大扫描视场。表面线圈通常仅用于接收MR信号，可以近距离放置在受检部位来提高接收信号强度，并需要相应的发射线圈来配合使用。特殊用途线圈用于磁共振频谱中特定元素谱线测定和全脊柱检查等方面。相控阵线圈通常由多个表面线圈组成，其优势在提高了图像的信噪比(Signal toNoise RatioSNR)，拓宽了成像视场(Field of View F0V)，同时增加了信号采集的均匀性。相控阵线圈(天线)需要辅助电路将捕获的信号供给后级进一步处理，例如通道解耦、阻抗匹配或桥接电路。在接收线圈中，这种辅助电路通常包括电容、电感、平衡-不平衡转换器和低噪声前置放大器等部件。目前，常用的去耦方式有电感去耦、电容去耦、重叠与低噪声前置放大器相结合去耦。电感去耦的一个子类是变压器去耦，属于远程解耦方法。传统变压器是采用具有同轴的交织或相邻的螺旋线绕制的电感线圈构成的螺线管。在传统的磁共振线圈解耦装置，请参阅图1，以两通道磁共振射频线圈为例，两通道射频收发线圈I和2是采用电感解耦电路，将线圈相邻部分分别以螺线管结构绕制在同一磁芯3上，利用其互感来抵消两通道线圈之间的耦合。但是，传统去耦装置的尺寸较大，容易对邻近电感器造成影响，不利于电路集成化设计以及存在制造困难等缺点。
技术实现思路
基于此，有必要针对去耦装置尺寸较大问题，提供一种尺寸较小的去耦装置。另外，还有必要提供一种基于去耦装置的磁共振射频线圈。一种去耦装置，包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。在其中一个实施例中，所述金属导带布置在印制电路板上，所述过孔连接件穿过所述印制电路板连接所述金属导带。在其中一个实施例中，还包括单元连接件，所述单元连接件穿过金属导带与相邻的所述金属导带连接。在其中一个实施例中，还包括电容器，所述电容器与所述双微带线单元串联连接。在其中一个实施例中，所述双微带线单元为直线段、弧线段、矩形螺旋线或圆形螺旋线形状。一种基于去耦装置的磁共振射频线圈，包括射频线圈，以及与所述射频线圈耦接的去耦装置；所述去耦装置包括包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。在其中一个实施例中，所述金属导带布置在印制电路板上，所述过孔连接件穿过所述印制电路板连接所述金属导带。在其中一个实施例中，还包括单元连接件，所述单元连接件穿过金属导带与相邻的所述金属导带连接。在其中一个实施例中，还包括电容器，所述电容器与所述双微带线单元串联连接。在其中一个实施例中，所述双微带线单元为直线段、弧线段、矩形螺旋线或圆形螺旋线形状。金属导带双层布置，过孔连接件穿过金属导带，把上下两层的金属导带连接，形成了双微带线单元。两个双微带线单元相对交错放置，等效于去耦电感。而且双微带线单元成扁平状设置，尺寸更加小巧。附图说明图I为传统变压器去耦示意图；图2为去耦装置的俯视图；图3为图2去耦装置的立体图；图4为图2去耦装置的剖视图；图5为图2 —实施例的去耦装置的双微带线单元的立体图；图6为一实施例双微带线单元的示意图；图7为一实施例的两通道基于去耦装置的射频线圈的示意图；图8为一实施例的两通道射频线圈耦合的示意图；图9为一实施例的基于去耦装置的两通道射频线圈去耦的示意图；图10 —实施例的设置在印制电路板上的基于去耦装置的磁共振射频线圈。具体实施例方式以下结合附图和具体实施方式，对本专利技术做进一步详述。 参阅附图2 4，去耦装置10包括交错放置的双微带线单元110。具体地，至少两个双微带线单元110交错设置，呈交错层迭阵列状。结合附图5，双微带线单元110包括金属导带111及过孔连接件113，过孔连接件113介于金属导带111之间，连接金属导带111。金属导带111为薄片状，由导电金属制成，例如铜、铝、金、银或合金等。过孔连接件113，为长条状，也可以是圆柱形、长方体形或者是圆环柱形等。过孔连接件113由导电金属制成，例如铜、铝、金、银或合金等。金属导带111双层设置，过孔连接件113穿过金属导带111，把上下两层的金属导带111连接，形成了双微带线单元110。两个双微带线单元110相对交错设置，等效于去耦电感。而且双微带线单元110成扁平状设置，尺寸更加小巧。 在一个实施例中，双微带线单元110布置在印制电路板(PCB板)上，即双层设置的金属导带111之间设有PCB板机械层。金属导带111分别敷设在PCB板两侧表面，过孔连接件113穿过PCB板连接金属导带111，金属导带111敷设在PCB板两侧。在其它实施例中，过孔连接件113可以从金属导带111的端部或中部穿过，并连接PCB板的另一侧金属导带111。同时，过孔连接件113可以设置多个，确保PCB板两侧的金属导带111电连接稳定。双微带线单元110为扁平状，可以把双微带线单元110较为便捷的敷设在PCB上，使得去耦装置10的制作更为便捷，制作效率更高。在一个实施例中，去耦装置10包括多个双微带线单元110，双微带线单元110交错设置，为双阵列状。双阵列状的去耦装置10中的一列，是由多个双微带线单元110相互连接制成。具体地，去耦装置10还包括单元连接件115，金属导带111呈L状，同一个双微带线单元110的两金属导带111的L形开口朝外设置，单元连接件115穿过金属导带111与相邻的金属导带连接。进一步地，单元连接件115穿过双微带线单元110中的一个金属导带111的L形端部与相邻的双微带线单元110中的一个金属导带111的L形端部相连接。在其它实施例中，结合附图6，双微带线单元110可以设置为直线段、弧线段、矩形螺旋线或圆形螺旋线形状，以满足不同去耦电路的设计要求。同时，去耦装置10易于集成在PCB板上，通用性较强，可以成为通用的天线去耦电路元件。以下结合实施例分析去耦装置10，去耦装置10可等效互电感，且去耦装置10的调节是由穿过去耦装置10中双微带线单元110之间的磁通量所决定。而磁通量的大小不仅依赖于去耦装置10中双微带线单元110的个数(等效于匝数)，还由磁通面积决定。在双微带线单元110尺寸确定的条件下，交错设置的双微带线单元110之间的间隙直接影响磁通量的大小，尤其磁通面积的大小。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：章勇勤，邱本胜，刘新，郑海荣，宋怡彪，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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