反应腔加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种反应腔加热装置，是在反应腔的金属表面外壁安装加热贴片，所有加热贴片连接到温度控制器。本实用新型专利技术反应腔加热装置的结构简单、温控运行稳定。由于避免了传统装置对循环液体频繁切换的加热和制冷，因而减少了能耗。再者取消了液体加热方式，也就避免了液体对设备部件的腐蚀等损坏，减少了维修，降低了成本，且无需处理废液更确保了环境安全。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体集成电路生产设备，特别是涉及一种等离子刻蚀反应系统
技术介绍
等离子刻蚀反应系统是半导体生产工艺中的常见设备，为减少反应生成物在反应腔内壁的淀积，确保刻蚀反应的稳定性，需要反应腔的体壁保持在所要求的温度，例如为40 90°C。请参阅图1，这是一种现有的反应腔加热装置，包括反应腔室9及其下方的底座8，在底座8的体壁内具有水管通道8a。该反应腔加热装置是通过液体泵使液体在反应腔室底座8的体壁内水管8a中进行循环，又通过加热和制冷交替运行控制液体的温度，从而使反应腔室底座8的体壁保持在所要求的温度。这种反应腔加热装置具有如下缺点其一，为了使循环液体维持在一定的温度范围内，液体温控设备必须频繁切换加热/制冷，能耗大。其二，由于循环液体在所要求维持的温度范围内会酸化，腐蚀液体温控设备、反应腔室底座8的体壁循环管道8a及密封件等，需要在日常保养时定期更换循环液体。所排放的废液需要进行环境无害化的处理。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种反应腔加热装置，既能减少能耗，又能达到环保要求。为解决上述技术问题，本技术反应腔加热装置是在反应腔的表面外壁设有加热贴片，所有加热贴片连接到温度控制器。进一步地，仅在反应腔的金属表面外壁设有加热贴片。进一步地，仅在反应腔的厚度大于2cm的金属表面外壁设有加热贴片。 进一步地，所述加热贴片贴满反应腔的表面外壁一周。进一步地，所述加热贴片为硅胶保温加热贴片。本技术反应腔加热装置的结构简单、温控运行稳定。由于避免了传统装置对循环液体频繁切换的加热和制冷，因而减少了能耗。再者取消了液体加热方式，也就避免了液体对设备部件的腐蚀等损坏，减少了维修，降低了成本，且无需处理废液更确保了环境安全。附图说明图I为现有的反应腔加热装置的示意图；图2是本技术反应腔加热装置的示意图；图3是加热贴片与温度控制器的连接示意图。图中附图标记说明IOa IOh为加热贴片；20为温度控制器；8为反应腔室底座；8a为水管通道；9为反应腔室。具体实施方式请参阅图1，这是一个等离子刻蚀反应系统，包括反应腔室9及其下方的底座8。请参阅图2，与现有的反应腔加热装置设置在反应腔室底座8的体壁中的水管通路8a不同，本技术反应腔加热装置是在该反应腔的表面外壁安装加热贴片IOa 10h。每个加热贴片均可受控稳定在某一温度值或某一温度范围，热能可通过金属传递至整个反应腔的体壁，从而使整个反应腔腔体的体壁保持在工艺所要求的温度，例如为40 90°C。优选地，加热贴片贴满反应腔的金属表面外壁。优选地，加热贴片贴满反应腔的厚度> 2cm的金属表面外壁。优选地，加热贴片在反应腔的外壁循环一周，如图2中的IOa IOg所示。在此基础上，加热贴片还零散地贴敷在反应腔的外壁的剩余表面，如图2中的IOh所示。优选地，加热贴片为硅胶保温加热贴片。请参阅图3，安装在反应腔上的各个加热贴片IOa IOh都通过导线连接到温度控制器20。温度控制器20可为一个或多个。温度控制器20控制单独或多个加热贴片IOa IOh的温度，并采集其温度数据。此外，温度控制器20还具有温度失控报警、加热贴片元件失电报警、漏电保护等功能。以上仅为本技术的优选实施例，并不用于限定本技术。对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种反应腔加热装置，其特征是，在反应腔的表面外壁设有加热贴片，所有加热贴片连接到温度控制器。2.根据权利要求I所述的反应腔加热装置，其特征是，仅在反应腔的金属表面外壁设有加热贴片。3.根据权利要求2所述的反应腔加热装置，其特征是，仅在反应腔的厚度大于2cm的金属表面外壁设有加热贴片。4.根据权利要求I所述的反应腔加热装置，其特征是，所述加热贴片贴满反应腔的表面外壁一周。5.根据权利要求I所述的反应腔加热装置，其特征是，所述加热贴片为硅胶保温加热贴片。专利摘要本技术公开了一种反应腔加热装置，是在反应腔的金属表面外壁安装加热贴片，所有加热贴片连接到温度控制器。本技术反应腔加热装置的结构简单、温控运行稳定。由于避免了传统装置对循环液体频繁切换的加热和制冷，因而减少了能耗。再者取消了液体加热方式，也就避免了液体对设备部件的腐蚀等损坏，减少了维修，降低了成本，且无需处理废液更确保了环境安全。文档编号H01J37/02GK202373565SQ201120506010公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月7日 优先权日2011年12月7日专利技术者吴长明, 孙希, 沈一鸣 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙希，吴长明，沈一鸣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：