半导体装置的布线构造以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种使第二金属层所紧贴的绝缘层难以产生裂纹的半导体装置的布线构造以及其制造方法。半导体装置的布线构造具备：绝缘层（12）；第一金属层（13），被绝缘层（12）覆盖；以及第二金属层（14），具有彼此空开间隔地在绝缘层（12）上排列而且以比第一金属层（13）厚的方式形成的多个电极部分（101、102、…），绝缘层（12）具有将第一金属层（13）和多个电极部分（101、102、…）之间相连的多个导通孔，具备配置在多个导通孔内并将多个电极部分与第一金属层（13）电连接的多个贯通布线（15）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
以往，如图1(平面图)以及图2 (图I的II - II线剖面图)所示那样的半导体装置的布线构造已广为人知。该布线构造包括在硅基板I上形成的绝缘层2、被该绝缘层2覆盖的第一金属层3、配置在绝缘层2上的作为焊盘电极的第二金属层4以及与第二金属层4连接的布线5。可是，在构成第二金属层4的金属的溅射时，当处于热膨胀状态的金属的温度下降时，附着于绝缘层2的金属的收缩カ会导致在金属内部产生向内的应力。之后，对金属的不需要的部分进行蚀刻，例如，当形成如图I那样的第二金属层4时，在其内部存在的应カ成为如图I中以箭头表示的力(例如图2的Fla)那样，在与第二金属层4紧贴的绝缘层2的内部，产生耐受第二金属层4的应カ的力，其结果是，有时能在绝缘层2(特别是第二金属层4角部附近)形成裂纹(图2的附图标记6)。在形成了裂纹6的情况下，使在蚀刻后的冲洗中使用的药液进入绝缘层2内，药液到达至第一金属层3，有时会产生对第一金属层3产生腐蚀等的缺陷。此外，为了缓和对作为焊盘电极的第二金属层4键合(bonding)导体布线时产生的应カ(与图I的箭头相反方向的力)而对焊盘电极的布线设置贯通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沼口浩之，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：