具有金属化源极、栅极与漏极接触区域的半导体芯片的封装制造技术

本发明专利技术涉及一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。另外，本发明专利技术也涉及一种半导体封装结构，其包含有数个内连接层板，设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装的制作方法，特别是指一种半导体芯片的金属化源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法。特别说明，本专利技术方法和本申请人的另一相关美国专利申请案同时处于申请待审中，请参考于公元2005年9月13日递交的，申请号为第11/226，913号的，题目为“具有内连接层板之半导体封装(Semiconductor Package HavingPlate Interconnections) ”的美国专利所公开的内容。
技术介绍
传统上，半导体装置不是藉由内连接层板就是藉由打线接合的方式连接到导线架。例如，美国专利第5，821，611号公开一种半导体组件，其包含有第一导线、半导体芯片单元以及复数个额外的导线，其中第一导线具有尖端部与岛部，半导体芯片单元则利用焊接层安装于第一导线的岛部上，并具有多个电极凸块而突出远离该岛部，而每条额外的导线都具有尖端，这些尖端透过个别的焊镀而连接至电极凸块，并且，额外的导线至少包含有第二导线与第三导线。前述导线会在加热炉中和电极凸块形成合金，且焊接凸块可能会在加热过程中延展开来并形成不可预期的形状。美国专利第6，040，626号公开了一种半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙明，何约瑟，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：