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本发明涉及一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。另外，本发明也涉及一种...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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