一种氮氧化物蓝色荧光粉及其制备方法技术

技术编号:7661314 阅读:207 留言:0更新日期:2012-08-09 05:11
本发明专利技术公开了一种氮氧化物蓝色荧光粉及其制备方法,在制备A2SiO4前躯体后,在前躯体上加入一价金属离子改变晶格基质,并进行Ce的掺杂,实现紫外激发光下粉体发射蓝光的特性;而且该制备方法所用原料廉价,制备工艺简单易行,适合大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于LED用荧光粉
,涉及ー种氮氧化物蓝色荧光粉及其制备方法
技术介绍
白色发光二极管(WLED)的问世,是半导体技术的发展在引发微电子革命后又在孕育ー场新的产业革命——照明革命。由于WLED体积小、耐振动、响应速度快、寿命长、无污染等优点,将成为替代白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代光源。它在普通照明、液晶显示的背景照明、大屏幕显示等方面均有广阔的应用前景。其中,白光LED是LED产业中最被看好的新兴产品。目前白光LED主要的商品化作法是在460nm波长的InGaN蓝光芯片上涂上ー层YAG荧光粉,利用蓝光芯片激发此荧光粉产生与蓝光互补的黄光,混合得出白光。但器件的发光颜色随驱动电压和荧光粉涂层厚度变化而变化,色彩还原性差,显色指数低。随着近紫外光(380 410nm)芯片LED技术的成熟,用近紫外光芯片激发荧光粉的白光LED的设计将更加引人注目。由于视觉对紫外光不敏感,近紫外光芯片的白光LED比蓝光芯片激发的白光LED顔色稳定,色彩还原性和显色指数高。因此研究开发近紫外光激发的荧光粉具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术解决的问题在于提供,加入ー价金属离子改变晶格基质,实现紫外激发光下粉体发射蓝光的特性,该方法简单易行,适合大规模エ业化生产。本专利技术是通过以下技术方案来实现一种氮氧化物蓝色荧光粉,其化学通式为AnBxSi2O2N2 = XCe3+,其中O < x < O. 1,A为 Ca、Sr 或 Ba,B 为 Li、Na 或 K。一种氮氧化物蓝色荧光粉的制备方法,包括以下步骤I)按照化学通式A2SiO4中A、Si的摩尔比称取A的碳酸盐、硝酸盐或其氧化物与Si的固体化合物,然后研磨混合,再加入混合物质量2 5 %的氟化物,在保护气氛下于1000 1300°C烧结I 3h后得到前躯体A2SiO4 ;其中A为Ca、Sr、Ba元素中的ー种;2)按照化学通式A1^xBxSi2O2N2 = XCe3+中A、B、Si、Ce的摩尔比称取前躯体A2Si04、B的氧化物或碳酸盐、Si的氮化物与Ce的氧化物,然后研磨混合,再加入混合物质量2 5%的氟化物,在保护气氛下于1300 1600°C烧结3 6h,后冷却至室温取出研磨过筛后,洗涤、干燥得到氮氧化物蓝色荧光粉。所述步骤I)的保护气氛是保护性气体N2、Ar、N2/H2、NH3中的ー种或几种,其气体流速< 20ml/min。所述的步骤2)的保护气氛是保护性气体H2、N2/H2、NH3中的ー种或几种,其气体流 25ml/min。所述的步骤I)、2)的氟化物为SrF2, BaF2, CaF2, NaF中的一种或几种的组合。所述的步骤2)的氟化物为SrF2, BaF2, CaF2, NaF中的两种。所述的洗涤为用こ醇对荧光粉进行洗涤。与现有技术相比,本专利技术具有以下有益的技术效果本专利技术提供的氮氧化物蓝色荧光粉及其制备方法,在制IA2SiO4前躯体后,在前躯体上加入ー价金属离子改变晶格基质,并进行Ce的掺杂,实现紫外激发光下粉体发射蓝光的特性;而且该制备方法所用原料廉价,制备エ艺简单易行,适合大規模エ业化生产。附图说明图I为根据本专利技术的实施例I所得荧光粉的激发后的发射光谱,最佳激发峰347nm,其发射光峰值为439nm,宽带状峰,呈蓝色光。图2为根据本专利技术的实施例2所得荧光粉的激发后的发射光谱,最佳激发峰360nm,其发射光峰值为445nm,宽带状峰,呈蓝色光。图3为根据本专利技术的实施例3所得荧光粉的激发后的发射光谱,最佳激发峰360nm,其发射光峰值为452nm,宽带状峰,呈蓝色光。图4为根据本专利技术的实施例4所得荧光粉的激发后的发射光谱,最佳激发峰359nm,其发射光峰值为456nm,宽带状峰,呈蓝色光。具体实施例方式下面结合具体的实施例对本专利技术做进ー步的详细说明,所述是对本专利技术的解释而不是限定。实施例I 荧光粉 Sr0.98Li0.01Si2O2N2:0. OlCe3+ 的制备第一歩合成该荧光粉的前躯体Sr2SiO4,按照Sr2SiO4的化学计量比称取SrC03147 . 61g、Si0230. 04g、3wt%的催化剂SrF2经混合、充分研磨后放于氧化铝坩埚中,将坩埚置于管式炉中,在保护气体N2/H2 = 9 I中以1250°C温度烧结3小时后冷却得到Sr2SiO4。第二步根据Sr0.98Li0.01Si2O2N2:0. OlCe3+ 的化学计量比将 Sr2SiO4, Ce2O3,纳米 Si3N4,Li2CO3,以及5wt%的SrF2与BaF2的混合助剂,SrF2 BaF2 = 1:2(质量比),研磨后放入钥坩埚中,将钥坩埚移入高温管式炉中,在N2 H2 = 3 I气氛下1400°C烧结4. 5小吋,其气体流量为35ml/min,之后冷却至室温取出研磨过筛后经こ醇洗涤干燥后即得该蓝色荧光粉Sra98LiatllSi2O2N2 = O. OlCe3+,由图I所示的发射光谱图可以看出,该荧光粉的发光波长为439nm,其发光区域均位于蓝色发光区域。实施例2 :荧光粉 Ca0.96Li0.02Si2O2N2:0. 02Ce3+ 的制备第一歩合成该荧光粉的前躯体Ca2SiO4,按照化学计量比称取CaC03147 . 6lg、Si0230. 04g、2Wt%的催化剂CaF2经混合、充分研磨后放于氧化铝坩埚中,将坩埚置于管式炉中,在保护气体N2/H2 = 3 I中以1150°C温度烧结2. 5小时后冷却得到Ca2Si04。第二步根据 Caa96Liatl2Si2O2N2 = O. 02Ce3+ 的化学计量比将 Ca2SiO4, Ce2O3,纳米Si3N4, Li2CO3,以及3wt%的CaF2与BaF2的混合助剂,CaF2 BaF2 = 3 I,研磨后放入钥坩埚中,将钥坩埚移入高温管式炉中,在N2 H2 = 3 I气氛下1500°C烧结4小时,其气体流量为30ml/min,之后冷却至室温取出研磨过筛后经こ醇洗涤干燥后即得该蓝色荧光粉Caa96Liatl2Si2O2N2 = O. 02Ce3+,由图2所示的发射光谱图可看出,该荧光粉的发光波长为445nm,其发光区域均位于蓝色发光区域。 实施例3 第一歩合成该荧光粉的前躯体Sr2SiO4,按照化学计量比称取SrC03147 . 6lg、Si0230. 04g、4Wt%的催化剂SrF2经混合、充分研磨后放于氧化铝坩埚中,将坩埚置于管式炉中,在保护气体N2/H2 = 95 5中以1200°C温度烧结2小时后冷却得到Sr2Si04。第二步根据 Sr0.94Li0.03Si2O2N2:0. 03Ce3+ 的化学计量比将 Sr2SiO4, Ce2O3,纳米Si3N4, Li2CO3,以及5wt%的SrF2与CaF2的混合助剂,SrF2 BaF2 = 3 2,研磨后放入钥坩埚中,将钥坩埚移入高温管式炉中,在N2 H2 = 9 I气氛下1450°C烧结6小时,其气体流量为35ml/min,之后冷却至室温取出研磨过筛后经こ醇洗涤干燥后即得该蓝色荧光粉Sra94Liatl3Si2O2N2 = O. 03Ce3+,由图3所示的发射光谱图可看出,该荧光粉的发光波长为452nm,其发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:苏醒宇
申请(专利权)人:彩虹集团公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利