【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料制备工艺领域,涉及一种SnO2三维空心球纳米材料的制备方法,特别涉及一种一步式水热制备方法。
技术介绍
SnO2是一种禁带宽度为3. 6eV的n型直接带隙半导体,由于具有较好的化学及热稳定性,对还原性气体具有敏感的感应性,以及自身特殊的电子结构——饱和的价带和空的导带,使得它在气敏和生物传感、锂电池负极材料、敏化太阳能电池、光电子原件、催化剂等方面有着广阔的应用潜力。多年研究表明纳米材料具有明显不同于单分子和块体材料的独特性能,而且学者们也普遍认为材料的尺寸和形貌与其自身的物理、化学、光学和催化性质息息相关,因此设计构建轮廓鲜明、尺寸规则、形貌可控、分散性较好的SnO2纳米材料,如一维纳米棒、纳米线、纳米管,二维纳米片、多层膜,三维结构,引起了世界各国科学工作者的关注。其中由低维纳米构筑单元组装而成的三维结构,因其拥有有利于气体分子分散的多孔表面、有助于吸附较多气体分子的较大比表面积、较强的吸附能力、出色的稳定性而值得特别关注。近年来有关SnO2三维纳米材料制备及应用的报道广泛。H. K. Wang等人(H. K. Wang, F. Fu, F ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李新勇,王静静,肇启东,李红,赵阳,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。