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四银低辐射镀膜玻璃制造技术

技术编号:7654242 阅读:164 留言:0更新日期:2012-08-06 02:46
本实用新型专利技术公开了一种四银低辐射镀膜玻璃,所述四银低辐射镀膜玻璃在玻璃基板上设有镀膜,其特征在于,所述镀膜的膜层结构自玻璃基板向外依次为:第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。本实用新型专利技术采用了独特的膜层结构和制造工艺,并且进一步使用了新型材料的电介质层代替传统的金属阻挡层,使玻璃可见光透过率大幅提升、减少了干扰色,并且增加了颜色选择范围,使改良后的产品具很高的可见光透过率、极低的辐射率、良好的光热比和光学稳定性、耐候性,并能获得较好的隔热保温效果。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及建筑和汽车用镀膜玻璃领域,具体是一种四银低辐射镀膜玻璃
技术介绍
低辐射镀膜玻璃是一种既能像普通玻璃一样让室外的太阳能、可见光透过,又能像红外反射镜一样(尤其对中远红外线)将物体二次辐射热反射回去的新一代镀膜玻璃, 在任何气候环境下使用,均能达到控制光线、节约能源热量、控制调节及改善环境的作用。 传统低辐射玻璃包括单银、双银镀膜玻璃,为了获得更低的U值、SC(遮阳系数)和良好的光热比(LSG),只有通过不断增加银层的厚度,但是银层厚度的增加,就意味着可见光透过的降低、颜色选择受限,无法满足不同客户的需求,于是就出现了更加复杂的三银甚至四银低辐射镀膜玻璃。
技术实现思路
本技术的技术目的解决现有技术中存在的问题,在多银层镀膜玻璃中间增设间隔电介质层,通过其叠加效果抵消由于银层厚度的增加而降低的可见光透过率。本技术的技术方案是一种四银低辐射镀膜玻璃,在玻璃基板上设有镀膜,其特征在于,所述镀膜的膜层结构自玻璃基板向外依次为第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。作为优选,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层、第一间隔层电介质组合层、第二间隔层电介质组合层、第三间隔层电介质组合层由SSTOx、CrNx、CdO, MnO2, InSbO、 TxO、SnO2λ ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO2Λ AZOΛ Si3N4' Si02、SiOxNy、BiO2' Al2O3' Nb2O5' Ta2O5' In203、Mo03、TiO2材料膜层中的一种或几种组成。所述第一电介质组合层、第二电介质组合层的厚度为10_80nm。所述第一间隔层电介质组合层、第二间隔层电介质组合层、第三间隔层电介质组合层的厚度为10-200nm。所述第一银层、第二银层、第三银层、第四银层的厚度为5_40nm。上述四银低辐射镀膜玻璃可采用真空磁控溅射镀膜,具体包括以下步骤将玻璃基板经过清洗干燥,在真空磁控溅射设备中进行预真空过渡,然后在玻璃基板上依次镀制第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。所述第一电介质组合层、第二电介质组合层、第一间隔层电介质组合层、第二间隔层电介质组合层、第三间隔层电介质组合层可采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式或者平面阴极、直流磁控溅射的方式沉积膜层。所述第一银层、第二银层、第三银层、第四银层采用平面阴极、直流溅射的方式沉积膜层。所述双旋转阴极、中频反应磁控溅射的方式在氩氧、氩氮或氩氧氮氛围中进行。所述平面阴极、直流溅射的方式在氩氧、氩氮或纯氩氛围中进行。本技术所提供的四银低辐射镀膜玻璃及其制造工艺,具有独特的膜层结构, 对传统的低辐射镀膜玻璃进行了改进,解决传统低辐射玻璃在银层厚度和层数增加后产生的可见光透过率降低、外观颜色呈现干扰色、颜色选择受限等问题,特别是使用新型材料的电介质层代替金属阻挡层的阻挡保护作用,从而取消了金属阻挡层,使得可见光透过大幅提升。本技术的玻璃具有具很高的可见光透过率、极低的辐射率、良好的光热比,具有良好的光学稳定性、耐候性和颜色多样,可满足不同客户的需求,隔热保温效果好,紫外线阻挡率高,适宜广泛应用到汽车玻璃和建筑玻璃市场。附图说明图I是本技术的结构示意图。具体实施方式为了阐明本技术的技术方案及技术目的,以下结合附图及具体实施方式对本技术做进一步的介绍。如图所示,本技术的四银低辐射镀膜玻璃的结构及膜层厚度为玻璃/第一电介质组合层(IO-SOnm)/第一银层(5_40nm)/第一间隔层电介质组合层(10-200nm)/第二银层(5_40nm) /第二间隔层电介质组合层(10-200nm) /第三银层 (5-40nm)/第三间隔层电介质组合层(10-200nm)/第四银层(5_40nm)/第二电介质组合层 (10_80nm)。其中第一、第二电介质组合层,第一、第二、第三间隔层电介质组合层由SSTOx、 CrNx、CdO, MnO2' InSbO、TxO、SnO2, ZnO、ZnSnOx、ZnSnPbOx、ZrO、AZO、Si3N4' SiO、SiOxNy、 BiO2, A1203、Nb2O5, Ta2O5, In2O3> MoO3, TiO2等材料构成的膜层中的一种或几种组成。实施例I :本技术具体实施使用的磁控溅射镀膜机,包括23个交流旋转双阴极,8个直流平面阴极,采用下表列出工艺参数,使用17个交流旋转双阴极,4个直流平面阴极,按照膜层的先后顺序依次镀制,制出本技术四银低辐射镀膜玻璃。玻璃基板在镀膜前要经过清洗干燥,然后在真空磁控溅射镀膜机中进行预真空过渡,然后开始镀膜工序,其工艺参数和靶的位置列表如下权利要求1.一种四银低辐射镀膜玻璃,在玻璃基板上设有镀膜,其特征在于,所述镀膜的膜层结构自玻璃基板向外依次为第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。2.根据权利要求I所述的一种四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层、第一间隔层电介质组合层、第二间隔层电介质组合层、第三间隔层电介质组合层由 SSTOx、CrNx、CdO, MnO2, InSbO、TxO、SnO2, ZnO, ZnSnOx, ZnSnPbOx, ZrO2, AZO、Si3N4' SiO2, SiOxNy、BiO2' Al2O3' Nb2O5' Ta2O5' In2O3' MoO3' TiO2 材料膜层中的一种或几种组成。3.根据权利要求I或2所述的一种四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一电介质组合层、第二电介质组合层的厚度为10-80nm。4.根据权利要求I或2所述的一种四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一间隔层电介质组合层、第二间隔层电介质组合层、第三间隔层电介质组合层的厚度为10-200nm。5.根据权利要求I或2所述的四银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一银层、第二银层、第三银层、第四银层的厚度为5-40nm。专利摘要本技术公开了一种四银低辐射镀膜玻璃,所述四银低辐射镀膜玻璃在玻璃基板上设有镀膜,其特征在于,所述镀膜的膜层结构自玻璃基板向外依次为第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。本技术采用了独特的膜层结构和制造工艺,并且进一步使用了新型材料的电介质层代替传统的金属阻挡层,使玻璃可见光透过率大幅提升、减少了干扰色,并且增加了颜色选择范围,使改良后的产品具很高的可见光透过率、极低的辐射率、良好的光热比和光学稳定性、耐候性,并能获得较好的隔热保温效果。文档编号C23C14/35GK202344954SQ201120478129公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月25日 优先权日2011年11月25日专利技术者林嘉宏 申请人:林嘉宏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林嘉宏
申请(专利权)人:林嘉宏
类型:实用新型
国别省市:

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