一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法，包括：在衬底上用微机械剥离法或CVD转移法制备单层和少数层石墨烯材料；在该石墨烯材料上旋涂光刻胶；采用光学光刻或者电子束直写的方法刻蚀石墨烯材料上的光刻胶，并用显影液显影，形成由光刻胶构成的源漏图形；用除胶仪器去除残胶，然后对源漏区的石墨烯材料进行刻蚀，同时破坏石墨烯材料的晶格结构，形成缺陷；采用电子束蒸发或者溅射在形成缺陷的样品表面淀积金属；剥离样品表面源漏极之间有源区上的光刻胶及金属，形成金属与石墨烯欧姆接触。与传统的金属石墨烯欧姆接触相比，本方法由于克服了石墨烯费米能级附近态密度较小的劣势，能得到接触电阻很小的金属石墨烯欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型材料石墨烯及半导体工艺
，特别涉及，通过减小金属与石墨烯欧姆接触来显著提高晶体管的直流特性及小信号特性。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子构成、具有单原子厚度的二维蜂窝状晶格结构。它以优异的特性受到了大家的广泛关注，其中他的电学特性更有突出的优势它被认为是目前迁移率最高的材料，迁移率是Si材料的100倍。它的饱和漂移速度是Si的6-7倍，它的费米速度是光速的1/300。因此应用石墨烯作为沟道材料的晶体管能实现更高的工作频率，被认为是太赫兹领域的重要材料。由于其突出的优势，石墨烯场效应管在近年来发展迅速。2006年12月，德国M. C. Lemme等人制备出第一个石墨烯双栅器件。美国IBM公司分别在2008年、2009年、2010年制备出截止频率达到26GHz、IOOGHz、170GHz的石墨烯场效应管。加州大学洛杉矶分校在2010年实现了截止频率为300GHz的石墨稀晶体管。但石墨稀场效应管性能的进一步提升却受到了很大的阻碍，场效应管的接触电阻过大，源漏端的压降占整个源漏所加电压的3/4左右，这大大的影响了器件性能的提升。因此减小金属与石墨烯欧姆接触电阻成为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金智，潘洪亮，麻芃，郭建楠，彭松昂，陈娇，王显泰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：