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本发明公开了一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法，包括：在衬底上用微机械剥离法或CVD转移法制备单层和少数层石墨烯材料；在该石墨烯材料上旋涂光刻胶；采用光学光刻或者电子束直写的方法刻蚀石墨烯材料上的光刻胶，并用显影液显影，形成由光刻胶构成的源...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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