一种低功耗硅基巨磁阻器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了属于磁存储、磁记录和磁传感技术领域的一种低功耗硅基巨磁阻器件及其制备方法。在单晶n型硅片表面设有SiO2层，在所述SiO2层上设有四个非磁性的金属性电极，这四个电极分别位于一个矩形的四个顶点，其中相邻的两个电极与SiO2/Si之间的接触都是具备高势垒的肖特基接触，另两个电极与SiO2/Si之间的接触都是欧姆接触或具备低势垒的肖特基接触。本发明专利技术的硅基巨磁阻器件可用于磁盘读头等磁存储/记录/传感工业。本发明专利技术的方法简单、易操作，所制备器件中的优异者在超低磁场10奥斯特下能表现出不低于10％的磁阻，已达到磁存储/记录/传感工业级应用标准，并且，其功耗密度的量级不高于10mW/cm2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁存储、磁记录和磁传感
，特别涉及。
技术介绍
当前，磁存储、磁记录和磁传感工业的核心基础是对低磁场非常灵敏的磁致电阻效应(磁致电阻效应简称为磁电阻或磁阻效应)。工业界目前用于表达磁阻效应的材料主要是磁性金属材料。长期以来，作为半导体工业的核心材料，非磁性半导体材料所表达的磁阻效应也吸引了大量关注 。这类磁阻效应有两个来源一个是由材料本身的某些特性与磁场之间的依赖关系所导致的物理磁阻，另一个是由电流输运路径或输出电压与材料的形状或电极的配置分布之间的依赖关系所导致的几何磁阻。在物理磁阻方面，1997年，美国芝加哥大学的Rosenbaum研究组在非磁性半导体材料一某些银-硒和银-碲化合物中发现了巨大的磁阻效应及其线性的磁场依赖关系。2002年，该研究组进一步发现，在这些材料中，当多数载流子的类型从空穴转变成电子时磁阻会达到最大值。2003年,英国剑桥大学的Littlewood研究组通过计算指出，这类磁阻是由材料中载流子迁移率的空间波动导致的。因此，这类磁阻被称为非均勻性引发的磁阻(Inhomogeneity-induced Magnetoresistance,即 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗俊，朱静，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：