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本发明公开了属于磁存储、磁记录和磁传感技术领域的一种低功耗硅基巨磁阻器件及其制备方法。在单晶n型硅片表面设有SiO2层，在所述SiO2层上设有四个非磁性的金属性电极，这四个电极分别位于一个矩形的四个顶点，其中相邻的两个电极与SiO2/Si之...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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