一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法及其装置，一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法，薄膜光电子器件包括金属基板电极、设置在金属基板电极上的单层或复数层的半导体和透明导电氧化物，该薄膜光电子器件可能具有短路区域，它包括以下步骤：配置电解液，并将电解液加入容器中；设定直流脉冲电源的波形、频率、电压值和脉冲数；将待钝化的薄膜光电子器件的金属基板电极与第一电极相电接触，将第一电极与直流脉冲电源的一端相连，将直流脉冲电源的另一端与第二电极相连，将网状半透明的第二电极浸入电解液中；通过移动装置将待钝化的薄膜光电子器件和第一电极浸入电解液中并保证其与第二电极保持平行，接通直流脉冲电源和激发光源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种钝化方法及其装置，尤其涉及一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法及其装置。
技术介绍
常用的薄膜光电子器件制备方法为物理化学气相沉积法，制备过程中常常因为生成物部分脱落而导致短路缺陷产生，这些短路缺陷严重影响薄膜光电子器件的整体性能而使得后期钝化显得十分必要。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的主要目的是提供了一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法及其装置能够对薄膜光电子器件上的短路区域进行钝化。为了解决上述难题，本专利技术采取的方案是一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法，所述薄膜光电子器件包括金属基板电极、设置在金属基板电极上的单层或复数层的半导体和透明导电氧化物，该薄膜光电子器件可能具有短路区域，它包括以下步骤A)配置电解液，并将电解液加入容器中；B)设定直流脉冲电源的电压值和脉冲数；C)将待钝化的薄膜光电子器件的金属基板电极与第一电极相电接触，将第一电极与直流脉冲电源的一端相连，将直流脉冲电源的另一端与第二电极相连，将第二电极浸入电解液中；D)通过移动装置将待钝化的薄膜光电子器件和第一电极浸入电解液中并保证其与第二电极保持平行，接通直流脉冲电源。优选地，在步骤A)中，所述电解液包括但不限于硫酸铝水溶液，氯化铁水溶液，氯化铝水溶液中的一种或几种。优选地，所述电解液的PH值在2. 0-5. O之间。优选地，在步骤C)中，通过电磁吸力或真空吸附将待钝化的薄膜光电子器件的金属基板电极与第一电极相电接触。优选地，它还包括一步骤E )，对薄膜光电子器件进行光照，激活薄膜光电子器件以使电化学反应更具选择性。优选地,它还包括一步骤F),对电化学反应中的电流进行检测。优选地，它还包括一步骤G)，将完成钝化的薄膜光电子器件和第一电极移出电解液中，并将薄膜光电子器件和第一电极相分离。一种根据权利要求I所述的钝化装置，它包括具有电解液的容器；薄膜光电子器件和第一电极，所述薄膜光电子器件包括金属基板电极、设置在金属基板电极上的单层或复数层的半导体和透明导电氧化物，所述薄膜光电子器件的金属基板电极与第一电极相电连；网状半透明的第二电极，浸入电解液中；直流脉冲电源，直流脉冲电源的一端与第一电极相电连，直流脉冲电源的另一端与网状半透明的第二电极相电连；移动装置，所述薄膜光电子器件和第一电极设置在移动装置上，用于带动薄膜光电子器件和第一电极相对容器移动；控制装置，用于设置直流脉冲电源的脉冲电压值和脉冲数以及用于控制移动装置。优选地，所述控制装置为PLC。本专利技术采用以上方法，具有结构简单、成本低、实现容易的优点。附图说明附图I为本专利技术的的处于反应状态的结构示意图。附图2为本专利技术的的处于初始状态的结构示意图。附图3为本专利技术的实际效果的对比图。附图中1、薄膜光电子器件；2、直流脉冲电源；3、第一电极；4、网状半透明的第二电极；5、容器；6、电解液；7、移动装置。具体实施例方式下面结合附图1-3之一对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围作出更为清楚明确的界定。如附图I和2所示，本专利技术的钝化装置包括一待钝化的薄膜光电子器件I、储存有电解液6的容器5、直流脉冲电源2、第一电极3、第二电极4、移动装置7。薄膜光电子器件I的底层设置有金属基板电极。薄膜光电子器件I的金属基板电极与第一电极3相电连。薄膜光电子器件I的上层可以为单层半导体和透明导电氧化物，也可以为复数层半导体和透明导电氧化物的叠加。容器中加入的电解液6可以但是不局限于硫酸铝水溶液，氯化铁水溶液，氯化铝水溶液中的一种或几种。第二电极3，浸入电解液6中。直流脉冲电源2，直流脉冲电源2的一端与第一电极3相电连，直流脉冲电源2的另一端与网状半透明的第二电极4相电连。薄膜光电子器件I和第一电极3设置在移动装置7上，用于带动薄膜光电子器件 I和第一电极3相对容器5移动,与电解液6相脱离或电接触。控制装置(图中未标出)，用于设置直流脉冲电源2的脉冲波形、频率、电压值和脉冲数以及用于控制移动装置7。优选地，本专利技术中的控制装置为PLC，可以对直流脉冲电源的参数和移动装置的参数进行设定。如附图I和2所示，本专利技术中，一种薄膜光电子器件I短路缺陷钝化方法，它包括以下步骤A)配置电解液6，并将电解液6加入容器5中；B)设定直流脉冲电源2的电压值和脉冲数；C)将待钝化的薄膜光电子器件I的金属基板电极与第一电极3相电接触，将第一电极 3与直流脉冲电源2的一端相连，将直流脉冲电源2的另一端与网状半透明的第二电极4相连，将网状半透明的第二电极4浸入电解液6中；D)通过移动装置7将待钝化的薄膜光电子器件I和第一电极3浸入电解液6中并保证其与第二电极4保持平行，接通直流脉冲电源2。本专利技术第二实施例，一种薄膜光电子器件I短路缺陷钝化方法，它包括以下步骤A)配置电解液6，并将电解液6加入容器5中，电解液6包括但不限于硫酸铝水溶液， 氯化铁水溶液，氯化铝水溶液中的一种或几种，电解液6的PH值在2. 0-5. O之间；B)设定直流脉冲电源2的波形、频率、电压值和脉冲数；C)通过电磁吸力或真空吸附将待钝化的薄膜光电子器件I的金属基板电极与第一电极3相电接触，将第一电极3与直流脉冲电源2的一端相连，将直流脉冲电源2的另一端与第二电极4相连,将第二电极4浸入电解液6中；D)通过移动装置7将待钝化的薄膜光电子器件I和第一电极3浸入电解液6中并保证其与网状半透明的第二电极4保持平行，接通直流脉冲电源2 ；E)对薄膜光电子器件I通过自然光或模拟光源进行照射，激活薄膜光电子器件I以使电化学反应更具选择性；F)在电化学反应过程中，对电流进行检测；G)将完成钝化的薄膜光电子器件I和第一电极3移出电解液6中，并将薄膜光电子器件I和第一电极3相分离。直流脉冲由于有关断时间，被消耗的离子利用这段时间扩散补充到阴极附近、当下一个导通时间到来时，阴极附近的金属离子浓度得以恢复，故可以使用较高的电流密度。 脉冲峰值电流可以大大高于平均电流，促使生成物晶种的形成速度高于晶体长大的速度， 使生成物排列紧密，孔隙减少，硬度增加。如附图3所示，在钝化反应前与后的结构效果图。本专利技术采用以上方法及其装置， 具有结构简单、成本低、实现容易的优点。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种薄膜光电子器件短路缺陷钝化方法，所述薄膜光电子器件包括金属基板电极、 设置在金属基板电极上的单层或复数层的半导体和透明导电氧化物，该薄膜光电子器件可能具有短路区域，其特征在于它包括以下步骤A)配置电解液，并将电解液加入容器中；B)设定直流脉冲电源的波形、频率、电压值和脉冲数；C)将待钝化的薄膜光电子器件的金属基板电极与第一电极相电接触，将第一电极与直流脉冲电源的一端相连，将直流脉冲电源的另一端与第二电极相连，将网状半透明的第二电极浸入电解液中；D)通过移动装置将待钝化的薄膜光电子器件和第一电极浸入电解液中并保证其与第二电极保持平行，接通直流脉冲电源。2.根据权利要求I所述钝化方法，其特征在于在步骤A)中，所述电解液包括但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡志华，
申请(专利权)人：迅力光能昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：