闪烁体面板、放射线检测装置和制造它们的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及闪烁体面板、放射线检测装置和制造它们的方法。制造包括将放射线转换为光的闪烁体层闪烁体面板的方法，该方法包括：生长步骤，该生长步骤在第一基板上生长包括多个柱状晶体的闪烁体；固定步骤，该固定步骤将第二基板固定到闪烁体的与第一基板侧的表面相反的表面；分离步骤，该分离步骤从闪烁体分离第一基板；和移除步骤，该移除步骤从闪烁体移除从闪烁体的在分离步骤中暴露的暴露表面起的预定厚度的一部分，以形成闪烁体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
已知包括闪烁体和传感器的放射线检测装置，闪烁体用于将放射线转换为光，并且传感器用于检测被闪烁体转换的光。闪烁体由柱状晶体的集合构成，并通过气相沉积形成在基板上。日本专利公开No. 2002-243859公开了一种从通过气相沉积形成的闪烁体的在气相沉积结束表面侧的表面去除不平坦性的方法。日本专利公开No. 06-230198公开了一种使通过气相沉积形成的闪烁体的在气相沉积结束表面侧的表面平坦化的方法。初始生长层(气相沉积的初始阶段中形成的层)存在于通过气相沉积形成的闪烁体的气相沉积起始表面侧。由于晶体具有颗粒形状或者柱状晶体具有小直径，所以初始生长层可在从放射线转换的光到达光电转换器之前使该光散射。这样的散射可降低传感器所感测的图像的锐度。初始生长层对应力敏感。当温度变化在放射线检测装置的构成件之间引起应力应变时，闪烁体可能剥落，或者可能在闪烁体内出现粘聚失效。
技术实现思路
本专利技术提供一种有利于提高锐度和/或改进耐用性的技术。本专利技术的第一方面提供一种制造闪烁体面板的方法，该闪烁体面板包括将放射线转换为光的闪烁体层，该方法包括生长步骤，该生长步骤在第一基板上生长包括多个柱状晶体的闪烁体；固定步骤，该固定步骤将第二基板固定到闪烁体的与第一基板侧的表面相反的表面；分离步骤，该分离步骤从闪烁体分离第一基板；和移除步骤，该移除步骤从闪烁体移除从闪烁体的在分离步骤中暴露的暴露表面起的预定厚度的一部分，以形成闪烁体层。本专利技术的第二方面提供一种制造放射线检测装置的方法，该方法包括以下步骤 在通过如本专利技术的第一方面限定的制造方法制造的闪烁体面板上，在闪烁体层的与第二基板侧的表面相反的表面上，布置检测被闪烁体层转换的光的传感器面板。本专利技术的第三方面提供一种闪烁体面板，该闪烁体面板包括将放射线转换为光的闪烁体层，所述闪烁体层具有在其中布置多个柱状晶体的结构，每个柱状晶体在其一端具有凸面并且在其另一端具有平坦化的加工表面。本专利技术的第四方面提供一种包括将放射线转换为光的闪烁体层的闪烁体面板，所述闪烁体层具有在其中布置多个柱状晶体的结构，每个柱状晶体在其一端和其另一端具有平坦化的加工表面。本专利技术的第五方面提供一种放射线检测装置，该放射线检测装置包括如本专利技术的第三或第四方面限定的闪烁体面板；和传感器面板，其检测被闪烁体面板的闪烁体层转换的光。从下面参照附图对示例性实施例的描述，本专利技术的进一步的特征将变得明白。附图说明 阅图I是示意性地显示根据本专利技术的第一实施例的放射线检测装置的结构的截面图; 阅图2A至图2D是显示根据本专利技术的第一实施例的放射线检测装置制造方法的截面图; 阅图3A至图3F是显示根据本专利技术的第二实施例的放射线检测装置制造方法的截面图; 图4A至图4D是显示根据本专利技术的第三实施例的放射线检测装置制造方法的截面图；和图5A至图5F是显示根据本专利技术的第四实施例的放射线检测装置制造方法的截面图。具体实施例方式现在将参照附图对本专利技术的优选实施例进行描述。将参照图I对根据本专利技术的第一实施例的放射线检测装置100的结构进行描述。 放射线检测装置100包括闪烁体面板150和传感器面板110，闪烁体面板150包括用于将放射线转换为光(例如，可见光)的闪烁体层(波长转换体层)120，并且传感器面板110用于检测被闪烁体面板150的闪烁体层120转换的光。除了闪烁体层120之外，闪烁体面板150 还可包括例如第二基板124和接合层125，第二基板124用作保护基板，并且接合层125接合第二基板124和闪烁体层120。传感器面板110可包括传感器基板111、保护层113和电极114，传感器基板111具有在其中布置多个像素的像素区域112，保护层113保护像素区域112。闪烁体面板150和传感器面板110可通过粘接层130接合。闪烁体层120可用包围它的密封材料131密封。传感器基板111可由诸如玻璃或耐热塑料的材料制成。布置在像素区域112中的每个像素可包括例如光电转换器、开关元件和栅极线，栅极线用于传送接通/断开开关元件的信号。栅极线可通过电极114与处理电路或处理单元连接。将参照图2A至图2D对制造图I中所示的放射线检测装置100的方法进行描述。 在图2A中所示的生长过程中，通过气相沉积在第一基板123上生长包含多个柱状晶体的闪烁体160。闪烁体160是最终用作闪烁体层120的构件。在本说明书中，气相沉积被用作包括化学气相沉积的术语。闪烁体160由例如包含碘化铯的材料制成。闪烁体160具有在第一基板123侧(即，气相沉积起始表面侧)的初始生长层122。在初始生长层122中，晶体具有颗粒形状，或者柱状晶体具有小的直径。初始生长层122可具有例如0 150 的厚度，但是它取决于条件。在形成初始生长层之后，气相沉积继续，由柱状晶体的集合形成柱状晶体层121。用于形成闪烁体的材料的优选示例为主要包含碱卤化物的Csl:n。其它示例为 CsI:Na、NaI:Tl、LiI:Eu和KI:T1。例如，CsI:Tl通过同时沉积CsI和TlI来制备。第一基板123足以抵抗用于形成闪烁体160的气相沉积条件，并可使用诸如金属、树脂、玻璃和陶瓷的材料。在图2B中所示的固定处理中，通过接合层125将第二基板124固定或接合到闪烁体160的与第一基板123侧的表面相反的表面。接合层125和第二基板124形成保护闪烁体160的保护构件126。用作保护基板的第二基板124是用于使闪烁体160 (闪烁体层120)免受外部应力的基板。第二基板124可采用例如金属板、金属箔、树脂板、玻璃板或陶瓷板。第二基板124 优选地由具有高X射线透射率的材料制成。例如，第二基板124优选为CFRP或无定形碳的树脂基板或者通过堆叠金属箔和树脂而制备的片材。被闪烁体160 (闪烁体层120)转换的光的一部分可到达第二基板124，被第二基板 124反射，并返回到传感器面板110。为了提高放射线检测装置100的灵敏度，第二基板124 在闪烁体160侧的反射率优选为高。出于这个目的，第二基板124可以是由Al或Au制成的高反射金属基板或者通过在基材上形成由Al或Au制成的反射层而获得的基板。接合层125是用于通过第二基板124保持闪烁体160的层。接合层125可利用例如丙烯酸类、环氧类、烯烃类、或有机硅类粘接剂或压敏粘接剂。压敏粘接剂期望是透光率尤其高的丙烯酸类压敏粘接剂材料。热塑性树脂、热固性树脂或热塑性固化型热熔树脂足够用作粘接剂。热熔树脂在熔融状态下表现出对其它有机和无机材料的粘接力，并且在室温的固态状态下不表现出粘接力。热熔树脂既不包含溶剂，也不包含介质。热熔树脂的示例是包含作为原料聚合物(主成分)的聚烯烃类、聚酯类、和聚酰胺类材料的树脂。在图2C中所示的分离处理中，从闪烁体160分离第一基板123。在图2D中所示的移除处理中，从闪烁体160移除从闪烁体160的在图2C中所示的分离处理时暴露的表面起的预定厚度的一部分(将称为生长起始侧部分)，并且该部分通常是包括初始生长层122 的部分。从闪烁体160移除生长起始侧部分的方法是例如机械抛光(研磨)、激光切割、离子束抛光或喷砂抛光。该处理形成闪烁体层120，该闪烁体层120在闪烁体的从其开始生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：长野和美，冈田聪，野村庆一，石田阳平，市村知昭，佐佐木庆人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：