【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子
,尤其涉及一种基于半导体制冷技术的温变试验装置。
技术介绍
在对电子系统做可靠性试验,或者对半导体器件做高低温环境试验时,常常需要控制被测器件的工作环境温度。尤其是在电子系统失效分析试验中,还需要隔离电路板上不同区域的器件,对局部区域的关键器件做温变分析,找出导致系统在低温或者高温环境下失效的具体器件。现有的大型温度试验箱(简称大型温箱)能够按照设定的温度曲线控制温变变化,将整个电子系统放入大型温箱中可做温变试验。但是,难以隔离电子系统上的器件,不能对局部区域的关键器件做温变分析。目前普遍使用的控制局部区域温度的方法有利用液态氮挥发吸热的特性,将液态氮喷洒在被测器件的局部区域上,使其产生局部温度变化;或者使用热风枪加热风的方式产生局部温度变化。但是,使用液态氮制冷的方法只能对器件做低温试验,不能做高温试验,且液态氮是一次性昂贵的耗材,无法满足长期的温变试验需求。而使用热风枪加热风的方法则只能对器件做高温试验,不能做低温试验。而且,这两种方法都难以控制温度变化, 不能按照设定的温度曲线实施自动化温变。
技术实现思路
本专利技术实施例提出一种 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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