一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法，其包括第一衬底、第二衬底及第三衬底；第一衬底上覆盖有钝化介质层，钝化介质层下方内设有CMOS读取电路，CMOS读取电路包括最外层的反光板，钝化介质层内设有共振槽；钝化介质层上设有第一低温键合体及第二低温键合体；第二衬底内设有空腔，在任意空腔的下方均设有红外敏感区及热隔离悬臂梁；红外敏感区包括红外吸收层及硅岛，硅岛内设有若干串联分布的二极管；第二衬底上设有第三低温键合体及第四低温键合体，第三低温键合体通过连接线与第二衬底相连，第一衬底与第二衬底、第三衬底通过真空键合相连连接。本发明专利技术工艺步骤简单，与常规IC工艺兼容，检测精度高，制造方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微结构及其制造方法，尤其是，属于MEMS器件的

技术介绍
红外成像技术广泛应用于军事、工业、农业、医疗、森林防火、环境保护等各领域， 其核心部件是红外焦平面阵列(Infrared Focal Plane Array, IRFPA)。根据工作原理分类，可分为光子型红外探测器和非制冷红外探测器。光子型红外探测器采用窄禁带半导体材料，如HgCdTe、InSb等，利用光电效应实现红外光信号向电信号的转换；因而需要工作在 77K或更低的温度下，这就需要笨重而又复杂的制冷设备，难以小型化，携带不方便。另一方面，HgCdTe和InSb等材料价格昂贵、制备困难，且与CMOS工艺不兼容，所以光子型红外探测器的价格一直居高不下。这些都极大地阻碍了红外摄像机的广泛应用，特别是在民用方面，迫切需要开发一种性能适中、价格低廉的新型红外摄像机。非制冷热型红外探测器通过红外探测单元吸收红外线，红外能量引起红外探测单元的电学特性发生变化，把红外能量转化为电信号，通过读出电路读取该信号并进行处理。如图I和US7005644B2中的图2是两种主要的以单晶硅PN结二极管作为红外传感单元的非制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：