射频功率放大器的级间匹配电路制造技术

本发明专利技术公开了一种射频功率放大器的级间匹配电路，应用于至少包含两级放大器的射频功率放大器的级间，至少包括第一电容、第二电容及第一电感，该第一电容及该第二电容串联连接于该射频功率放大器的前级放大电路集电极与该射频功率放大器的后级放大电路基极之间，该第一电感一端接于该第一电容与该第二电容的中间节点，另一端接地，通过本发明专利技术，不仅可以实现射频功率放大器前级与后级间的阻抗匹配，还可以用于调整射频功率放大器的增益平坦度，提高射频功率放大器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种级间匹配电路，特别是涉及一种射频功率放大器的级间匹配电路。
技术介绍
射频功率放大器是无线通信系统中不可或缺的电路模块，其主要负责将调制后的射频信号放大到一定的功率值，再通过天线发射出去。对于应用于便携式手持设备发射机中的射频功率放大器来说，需要其具有小尺寸、高效率及低成本，因而射频功率放大器应具有尽可能高的集成度。在现有射频功率放大器设计中，考虑到对射频输出功率与功率增益等指标的要求，通常采用两级或多级放大器来实现射频功率放大器。由于是两级或多级射频功率放大器，故需要级间匹配电路，以便于对第一级(前级)的输出和第二级(后级)的输入进行匹配。图I为现有技术中一种射频功率放大器的电路结构示意图。如图I所示，射频功率放大器包含两级放大器Ql、Q2、输入匹配电路、级间匹配电路及输出匹配电路，放大器Ql及Q2用于对射频信号进行放大，输入匹配电路用于实现输入匹配以减少射频信号的反射，输出匹配电路用于将负载电阻转换成一个低阻以提高输出功率能力，级间匹配电路用于匹配Ql的输出阻抗与Q2的输入阻抗，一般使用直流耦合或利用隔直电容隔直，然而， 这种级间匹配电路对射频功率放大器的增益效果较差，无法调整放大电路的增益平坦度， 不利于射频功率放大器性能的提高。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的问题，本专利技术的主要目的在于提供一种射频功率放大器的级间匹配电路，其不仅可以实现射频功率放大器前级与后级间的阻抗匹配，还可以用于调整射频功率放大器的增益平坦度，提高射频功率放大器的性能。为达上述及其它目的，本专利技术提供一种射频功率放大器的级间匹配电路，应用于至少包含两级放大器的射频功率放大器的级间，其中，该级间匹配电路至少包括第一电容、 第二电容及第一电感，该第一电容及该第二电容串联连接于该射频功率放大器的前级放大电路集电极与该射频功率放大器的后级放大电路基极之间，该第一电感一端接于该第一电容与该第二电容的中间节点，另一端接地。进一步地，该前级放大电路的集电极通过第二电感连接至电源电压。进一步地,该第二电感为寄生电感,其通过走线形成。进一步地，该前级放大电路的集电极通过第三电容接地。进一步地，该前级放大电路与该后级放大电路均为HBT管。与现有技术相比，本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路通过第二电感、第三电容、第一电容、第一电感及第二电容组成的级间匹配电路，不仅实现了射频功率放大器前级与后级间的阻抗匹配，而且还可以用于调整射频功率放大器的增益平坦度，同时，形成宽带匹配，使射频功率放大器能在较宽范围内工作，提高了射频功率放大器的性能。附图说明图I为现有技术之射频功率放大器的电路结构示意图；图2为本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路所应用之射频功率放大器的电路不意图；图3为本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路所应用之射频功率放大器较佳实施例的电路示意图。具体实施例方式以下通过特定的具体实例并结合附图说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。图2为本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路所应用之射频功率放大器的电路示意图。如图2所示，本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路，应用于至少包含两级放大器的射频功率放大器的两级之间，至少包括第一电容Cl、第二电容C2以及第一电感LI。其中第一电容Cl与第二电容C2串联连接于前级放大电路(晶体管Ql)的集电极与后级放大电路(晶体管Q2)的基极之间，第一电感LI 一端接于第一电容Cl与第二电容 C2的中间节点，另一端接地。为更好实现本专利技术，在本专利技术之较佳实施例中，前级放大电路(晶体管Ql)的集电极还通过第二电感L2连接至电源电压VCl，第二电感L2实际为寄生电感，可通过走线形成。较佳的，前级放大电路(晶体管Ql)的集电极还可通过一第三电容C3接地，在此， 第二电感L2、第三电容C3、第一电容Cl、第一电感LI及第二电容C2组成的级间匹配电路形成宽带匹配，使射频功率放大器能在一个较宽范围内工作。图3为本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路所应用之射频功率放大器较佳实施例的电路示意图。以下将配合图3进一步说明本专利技术。如图3所示，射频输入信号 RFin通过电阻Rl与晶体管Ql (前级放大电路)的基极相连，Ql的发射级接地，集电极通过电感L2(3nH)与电源电压VCl相连，同时，其集电极还与电容Cl (6pF)及C3 (O. 6pF)相连， 电容Cl的另一端与电容C2(6pF)及电感Ll(3nH)相连，电容C2的另一端通过电阻R3接于后级放大电路(晶体管Q2)的基极，晶体管Q2的发射极通过电阻R4接地，集电极通过电感 L3(3nH)接于电源电压VC2，并输出经两级放大匹配后的射频输出信号RFout，在本专利技术较佳实施例中，晶体管Ql及Q2为HBT管。综上所述，本专利技术一种射频功率放大器的级间匹配电路通过第二电感L2、第三电容C3、第一电容Cl、第一电感LI及第二电容C2组成的级间匹配电路，不仅实现了射频功率放大器前级与后级间的阻抗匹配，而且还可以用于调整射频功率放大器的增益平坦度， 同时，形成宽带匹配，使射频功率放大器能在较宽范围内工作，提高了射频功率放大器的性倉泛。上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何本领域技术人员均可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此， 本专利技术的权利保护范围，应如权利要求书所列。权利要求1.一种射频功率放大器的级间匹配电路，应用于至少包含两级放大器的射频功率放大器的级间，其特征在于该级间匹配电路至少包括第一电容、第二电容及第一电感，该第一电容及该第二电容串联连接于该射频功率放大器的前级放大电路集电极与该射频功率放大器的后级放大电路基极之间，该第一电感一端接于该第一电容与该第二电容的中间节点，另一端接地。2.如权利要求I所述的射频功率放大器的级间匹配电路，其特征在于该前级放大电路的集电极通过第二电感连接至电源电压。3.如权利要求2所述的射频功率放大器的级间匹配电路，其特征在于该第二电感为寄生电感，其通过走线形成。4.如权利要求I或3所述的射频功率放大器的级间匹配电路，其特征在于该前级放大电路的集电极通过第三电容接地。5.如权利要求4所述的射频功率放大器的级间匹配电路，其特征在于该前级放大电路与该后级放大电路均为HBT管。全文摘要本专利技术公开了一种射频功率放大器的级间匹配电路，应用于至少包含两级放大器的射频功率放大器的级间，至少包括第一电容、第二电容及第一电感，该第一电容及该第二电容串联连接于该射频功率放大器的前级放大电路集电极与该射频功率放大器的后级放大电路基极之间，该第一电感一端接于该第一电容与该第二电容的中间节点，另一端接地，通过本专利技术，不仅可以实现射频功率放大器前级与后级间的阻抗匹配，还可以用于调整射频功率放大器的增益平坦度，提高射频功率放大器的性能。文档编号H03H7/38GK102594288SQ20121004140公开日2012年7月18日 申请日期2012年2月22日 优先权日2012年2月22日专利技术者刘轶 申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘轶，
申请(专利权)人：刘轶，
类型：发明
国别省市：