一种透明导电层的制造方法技术

本发明专利技术提供一种透明导电层的制造方法，包括：形成一金属层；沉积至少一层石墨烯层于金属层上；刻蚀石墨烯层形成网格状图案；提供一基板；转移石墨烯层于基板上。采用本发明专利技术可以在提升导电层的穿透率的同时降低阻值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种石墨烯透明导电层的制造方法。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display，缩写为LCD)为平面超薄的显示设备，它由一定数量的彩色或黑白像素组成，放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗很低，因此倍受工程师青睐，适用于使用电池的电子设备。它的主要原理是以电流刺激液晶分子产生点、线、面配合背部灯管构成画面。而透明导电玻璃则是液晶显示器(IXD)的三大主要材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下按特定的方向排列，进而显示出与电极波长相对应的图形。目前，用于液晶显示器(LCD)中的透明导电薄膜主要为氧化铟锡(ITO)，由于氧化铟锡(ITO)中的铟(In)开采不易且价格较高，因此陆续有取代氧化铟锡(ITO)的材料被开发出来，如银纳米线(nano-wire Ag)、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管 (CNT)、石墨烯(Graphene)等材料，其中银纳米线(nano-wire Ag)存在价格过高的问题， 且其阻值与穿透率会相互制约，而聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)与碳纳米管(CNT)存在着阻值过高且穿透率过低的问题，并且聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)的耐化性与稳定性不佳。石墨烯 (Graphene)为一新开发的材料，因为其具有很高的电子迁移率，被广泛的开发应用于半导体层，而其在单层的穿透率只会减损2.3%，故也被看好应用于透明导电层的市场，然而，为了得到较低的阻值须将石墨烯(Graphene)成长多层，这时会降低石墨烯(Graphene)的穿透率。有鉴于此，如何设计一种石墨烯透明导电层，以得到既具有低阻值又具有高穿透率的透明导电层，是专业技术人员需要着手解决的一项课题。
技术实现思路
针对现有技术中为了得到较低的阻值须将石墨烯(Graphene)成长多层，从而会降低石墨烯(Graphene)的穿透率的这一缺陷，本专利技术提供了。依据本专利技术的一个方面，提供了，其中，包括形成一金属层；沉积至少一层石墨烯层于所述金属层上；刻蚀所述石墨烯层形成网格状图案；提供一基板；以及 转移所述石墨烯层于所述基板上。 优选地，所述金属层为铜金属层或镍金属层。优选地，通过低压化学气相沉积或常压化学气相沉积方法于所述金属层上形成石墨烯层。优选地，通过微影刻蚀或激光刻蚀的方法形成所述网格状图案。依据本专利技术的另一个方面，提供，其中，包括提供一基板；喷涂金属层于所述基板上，所述金属层具有网格状图案；以及成长石墨烯层于所述基板上。优选地，所述金属层为铜金属层或镍金属层。优选地，采用喷墨工艺喷涂所述金属层。依据本专利技术的又一个方面，提供，其中，包括提供一基板；形成一非晶硅层于所述基板上；图形化所述非晶硅层成网格状图案；对所述基板进行金属置换；以及成长石墨烯层于所述基板上。优选地，所述金属为铜或镍。采用本专利技术的优点有通过在金属上成长石墨烯层，利用金属来增加透明导电层的导电性，并通过将石墨烯层图形化成网络状，来增加透明导电层的穿透率。附图说明读者在参照附图阅读了本专利技术的具体实施方式以后，将会更清楚地了解本专利技术的各个方面。其中，图1示出依据本专利技术的一个方面透明导电层的制造方法流程图。图2示出依据本专利技术的另一个方面透明导电层的制造方法流程图。图3示出依据本专利技术的又一个方面透明导电层的制造方法流程图。具体实施方式为了使本申请所揭示的
技术实现思路
更加详尽与完备，可参照附图以及本专利技术的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本专利技术所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。下面参照附图，对本专利技术各个方面的具体实施方式作进一步的详细描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。本专利技术还可以表现为不同的形式，因此并不局限于在此说明的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如前所述，在现有技术中，在利用石墨烯作为透明电极时，为了降低阻值，往往会多层堆叠，然而导电层的穿透率也会随之下降。为了解决现有技术中的这一困扰，图1示出依据本专利技术的一个方面透明导电层的制造方法流程图。参照图1，本实施例中，透明导电层的制造方法包括以下步骤首先，形成一金属层。金属层可以为铜金属层，也可以为镍金属层，但并不以此为限。其次，沉积至少一层石墨烯层于金属层上。在石英管内通入氢气和乙烯，利用化学气相沉积法在金属层上成长至少一层石墨烯层。此处的化学气相沉积法可以为常压化学气相沉积法，也可以为低压化学气相沉积法。然后，刻蚀石墨烯层形成网格状图案。通过微影刻蚀或激光刻蚀的方法使石墨烯层具有网格状图案。再次，提供一基板。此基板可以为玻璃基板，也可以为软性透明基板，但不以此为限。最后，转移石墨烯层于基板上。将具有网络状图案的石墨烯层剥离，并转移至基板上。最后形成的基板可以作为透明导电层使用。图2示出依据本专利技术的另一个方面透明导电层的制造方法流程图。参照图2，本实施例中，透明导电层的制造方法包括以下步骤首先，提供一基板。此基板可以为玻璃基板，也可以为软性透明基板，但不以此为限。然后，喷涂金属层于基板上，金属层具有网格状图案。金属层可以为铜金属层，也可以为镍金属层，但并不以此为限。采用喷墨工艺喷涂在基板上喷涂金属层。其次，成长石墨烯层于基板上。利用化学气相沉积法在金属层上成长至少一层石墨烯层。此处的化学气相沉积法可以为常压化学气相沉积法，也可以为低压化学气相沉积法。图3示出依据本专利技术的又一个方面透明导电层的制造方法流程图。参照图3，本实施例中，透明导电层的制造方法包括以下步骤首先，提供一基板。此基板可以为玻璃基板，也可以为软性透明基板，但不以此为限。其次，形成一非晶硅层于基板上。在基板上形成一非晶硅层。然后，图形化非晶硅层成网格状图案。利用常压化学气相沉积法或低压化学气相沉积法在金属层上沉积一层非晶硅层。再次，对基板进行金属置换。利用金属通过氧化还原反应对基板进行置换。金属可以为铜或镍。最后，成长石墨烯层于基板上。在经过置换的基板上成长至少一层石墨烯层。采用本专利技术的优点有通过在金属上成长石墨烯层，利用金属来增加透明导电层的导电性，并通过将石墨烯层图形化成网络状，来增加透明导电层的穿透率。上文中，参照附图描述了本专利技术的具体实施方式。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本专利技术的精神和范围的情况下，还可以对本专利技术的具体实施方式作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本专利技术权利要求书所限定的范围内。权利要求1.，其特征在于，包括形成一金属层；沉积至少一层石墨烯层于所述金属层上； 刻蚀所述石墨烯层形成网格状图案； 提供一基板；以及转移所述石墨烯层于所述基板上。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属层为铜金属层或镍金属层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过低压化学气相沉积或常压化学气相沉积方法于所述金属层上形成石墨烯层。4.如权利要求1所述的制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱博文，林永昌，廖家翎，胡国仁，陈嘉祥，江明峰，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：