多级调容变压器用圆筒式线圈结构制造技术

多级调容变压器用圆筒式线圈结构，高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y，yn联结的产品，三相相绕组可通过开关封星，并使O相从开关上引出。本发明专利技术在容量调节时不改变变压器主空道的距离，因此，变压器重要阻抗参数不发生明显的变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种线圈结构，尤其是一种多级调容变压器用圆筒式线圈结构。
技术介绍
随着农业用电和季节性行业用电的增加，季节性负荷比重增大，高峰时负荷和低谷时负荷相差很大，而高峰负荷期短，年负荷率低。在选择配电变压器容量时，如果按最大负荷选择，变压器运行不经济；如果按最低负荷选择，变压器将在严重过负荷状况下运行，很不安全。如果变压器并联运行，按负荷变化确定投入运行变压器数量比较合理， 但仍需有备用不同容量的多台变压器(子母变)，以适应负荷的变化，从而达到节能的目的，这样增加了投资费用、占地面积和管理工作量。目前调容变压器的调容方式为高压采用Y/D变换，同时低压采用串并联同步切换的方式，来实现变压器的大小容量有载自动切换。存在的问题一是不能实现多级调容；二是此种调压方式由于高压级电压高，即io/V^， 因此导致开关切换时易产生拉弧现象，从而带来很大的不安全隐患，而且大容量与小容量选择不是任意的，否则阻抗电压将发生改变。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种可用于多级调容变压器上的圆筒式线圈结构。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是多级调容变压器用圆筒式线圈结构， 高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y，yn联结的产品，三相绕组的所有抽头分别对应接入有载开关的定触头上，三相相绕组通过开关封星，0相从开关弓I出。容量的分级原理上是可以任意的，但一般为1-4级即可满足实际需要，以4级为例，三相绕组高压、低压首端及分级容量的抽头标志如下A, B, C、XI，X2, X3, X4、Yl, Y2, Y3, Y4、Zl, 12, Z3, TA ；a, b, c、xl, x2, x3, x4、yl, y2, y3, y4> zl, z2, z3, z4容量从1-4级是任意可调的，从小容量变到大容量所对应的三相绕组的抽头分别为小容量对应抽头XI，Yl, Z1、大容量抽头X4，Y4，Z4。铁芯和高、低压相绕组排列顺序为铁芯在低压相绕组的内侧，高压相绕组在低压相绕组的外侧，调容时为了保证高、低压相绕组之间的主空道距离不变，高压相绕组采用左绕向，低压相绕组采用右绕向。本专利技术高、低压相绕组分别采用多层圆筒式及箔绕圆筒式线圈结构，并改变绕组的绕向，在容量调节时不改变变压器主空道的距离，因此，变压器重要阻抗参数不发生明显的变化。高、低三相绕组首端分别与有载开关动触头相连接，(对于通过开关封星的Y，yn 联结的产品高、低三相绕组首端通过三相相绕组直接引)并通过引线引入变压器套管中， 将高、低压三相绕组对应不同容量的抽头Χ1-Χ4、Υ1_Υ4、Ζ1-Ζ4，分别接到有载开关的对应的定触头上，根据实际负荷的情况使有载开关的动触头与有载开关的定触头进行切换，以实现调容节能的目的；容量从1-4级是任意可调的，从小容量变到大容量所对应的三相绕组的抽头分别为小容量对应抽头XI，Yl，Ζ1、大容量抽头Χ4，Υ4，Ζ4。附图说明图1是高压绕组为角(D)接法，低压绕组为星(yn)接法，多级调容以四级容量为例的结构示意图。图2是低压绕组为星(yn)接法，高压绕组为星(Y)接法，多级调容以四级容量为例的结构示意图。图3是器身结构图。图4是高压采用左绕向，低压采用右绕向的结构示意图。图中，1为动触头，2为抽头区，3为线圈，9为铁芯，10为低压相绕组，11为高压相绕组。具体实施例方式图1是高压绕组为角(D)接法，低压绕组为星(yn)接法，多级调容以四级容量为例，例如四级容量分别为100kVA，200kVA, 300kVA, 400kVA,则高、低压三相绕组IOOkVA对应抽头为:Xl、xl，Yl、yl，Zl、zl ；200kVA高、低压三相绕组对应抽头为X2、x2，Y2、y2，Z2、 z2 ；300kVA高、低压三相绕组对应抽头为X3、x3, Y3、y3，Z3、z3 ；400kVA高、低压三相绕组对应抽头为X4、x4, Y4、y4， Α、ζ4 ；图2为高压绕组为星(Y)接法，低压绕组为星(yn)接法，多级调容以四级容量为例，例如四级容量分别同上为100kVA，200kVA, 300kVA, 400kVA,则高、低压三相绕组四级容量对应的抽头分别同上。图3为器身结构图，铁芯9和高、低压相绕组排列顺序为铁芯9在低压相绕组10 的内侧，高压相绕组11在低压相绕组10的外侧，调容时为了保证高、低压相绕组之间的主空道距离不变，高压相绕组11采用左绕向，低压相绕组10采用右绕向。如图4所示为了保证主空道尺寸不变，高压相绕组11采用左绕向，低压相绕组 10采用右绕向，当改变容量时，只是高、低压相绕组的幅向尺寸发生变化，而主空道尺寸没有发生改变，因此，在调节容量时阻抗电压没有明显的变化，并满足工程实际的需要。权利要求1.多级调容变压器用圆筒式线圈结构，其特征在于高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y，yn联结的产品，三相绕组的所有抽头分别对应接入有载开关的定触头上，三相相绕组通过开关封星。2.如权利要求1所述的多级调容变压器用圆筒式线圈结构，其特征在于容量从I-N 级是任意可调的，以4级为例，三相相绕组高压、低压首端及分级容量的抽头标志如下A, B, C、XI，X2, X3, Χ4、Υ1，Υ2, Υ3, Υ4、Ζ1，12, Ζ3, Ζ4 ；a, b, c、xl, x2, x3, x4> yl, y2, y3, y4> zl, z2, z3, ζ4 ；从小容量调到大容量所对应的三相相绕组的抽头分别为小容量对应抽头XI，Yl, ZU 大容量抽头Χ4，Υ4，Ζ4。3.如权利要求1所述的多级调容变压器用圆筒式线圈结构，其特征在于，线圈结构中铁芯和高、低压相绕组排列顺序为铁芯在低压相绕组的内侧，高压相绕组在低压相绕组的外侧，高压相绕组采用左绕向，低压相绕组采用右绕向。全文摘要多级调容变压器用圆筒式线圈结构，高压相绕组采用多层圆筒式线圈结构，低压相绕组采用多层箔绕圆筒式线圈结构，在不同容量对应的高、低压相绕组线匝处引出抽头，并将三相绕组的所有抽头及三相绕组的首端分别对应接入有载开关的定、动触头上；对于Y，yn联结的产品，三相相绕组可通过开关封星，并使O相从开关上引出。本专利技术在容量调节时不改变变压器主空道的距离，因此，变压器重要阻抗参数不发生明显的变化。文档编号H01F29/04GK102568789SQ201210086209公开日2012年7月11日 申请日期2012年3月28日 优先权日2012年3月28日专利技术者孙汉明, 赵淮林, 陈龙 申请人:沈阳全密封变压器股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵淮林，孙汉明，陈龙，
申请(专利权)人：沈阳全密封变压器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：