一种引线框架制造技术

本发明专利技术涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种IPAK/TO-251引线框架，该框架的两排（或四排，或六排，或八排）载体的连接部位设计有应力释放槽及其同列的连杆区域中设计有冲流道凹槽。本发明专利技术在拥有防漏、防水、防脱、防反、精定位等基本功能外，还能使引线框架在冲压或封装过程中出现变形后产生的应力能集中释放，从而预防了塑封体、引线框架在受内应力后产生的分层，保障了产品的可靠性；同时也解决了封装后多浇道卸料难的问题，进而避免了产品在下工序轨道输送中出现的阻料现象。提高了生产效率，同时也提高了封装良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及ー种IPAK/T0-251引线框架。
技术介绍
引线框架(Lead Frame)是承载芯片的载体，导线键合后起到芯片内部电路与外部电信号的传输作用，在封装过程和安装过程中起到定位、机械支撑作用；以及工作时热传导作用。因此引线框架是功率器件封装领域中重要的组成部分。随着近年来消费市场对功率器件的需求不断扩大，对产品可靠性要求的不断提高；給功率器件封装行业带来了发展契机，同时也給功率器件封装行业提出了新的挑战。所以功率器件所使用引线框架的设计是否合理对功率器件封装行业起到了关键性的作用。在现有的国内外IPAK/T0-251功率器件中，都是采用单排引线框架封装，此种框架生产效率低，原材料消耗大，框架易变形，成品率得不到提高，可靠性很难把握等因素，严重约束了该类产品的规模化生产。经查证，带有应カ释放槽的IPAK/T0-251引线框架，目前国内外业界都没有。
技术实现思路
本专利技术提供了ー种新型的引线框架，该框架避免了塑封体与框架受内应カ后产生分层而保障了产品的可靠性；为此，采用如下技术方案ー种引线框架，所述引线框架的载体的连接部位设计有应カ释放槽。所述引线框架中同列的连杆区域中设计有冲流道凹槽。所述的引线框架设计为两排 八排。所述的引线框架I/O引脚设计有3只脚 5只脚。本专利技术采用了多排设计，使其在拥有防漏、防水、防脱、防反、精定位等基本功能外，其应カ释放槽的设计，使框架变形后产生的应カ集中释放，从而避免了塑封体与框架受内应カ后产生分层，保障了产品的可靠性；冲流凹槽的设计解决了封装后多浇道卸料难的问题，进而避免了下エ序轨道输送中出现的阻料现象。而且本专利技术相比单排引线框架，等于把两条或至八条引线框架集成为一条引线框架，因此增强了框架的物理性能，提高了生产效率，提升了原材料的利用率。从而降低了功率器件封装产品的成本，提高了生产效率，同时也提高了封装良率。例如当所述引线框架采用双排排列时，一条引线框架可封装功率器件56只；八排的一条引线框架可封装功率器件228只，而单排的只有28只。并且所述的 IPAK/T0-251引线框架塑封成型后有3 5条I/O引脚，同时可制造为半包封直插式装配和表贴式装配。附图说明图I为本专利技术两排式的整体示意图(以3个I/O脚为例)；图2为图I的左视图3为图I中A处局部放大图4为本专利技术两排式且I/O引脚为5只的示意图5为本专利技术八排式的局部示意图(以3个I/O脚为例)；图6a至6c为本专利技术的框架封装的IPAK/T0-251塑封产品的主视、侧视、后视示意图 (贴片式安装且以3个I/O脚为例)。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作进ー步具体说明。參照图3，ー种引线框架，所述引线框架I的载体4的连接部位设计有应カ释放槽 5。所述引线框架I中同列的连杆区域中设计有冲流道凹槽7。图3中2为精定位孔；3为引脚；6为中筋；8为组合形定位孔且呈腰型。所述引线框架I设计有两排 八排，即可冲压成双排或4排或6排或8排框架。所述引线框架I的I/O引脚设计有3或4或5只脚，拓展了框架的使用范围。权利要求1.一种引线框架，其特征在于所述引线框架(I)的载体(4)的连接部位设计有应力释放槽(5)。2.根据权利要求I所述的一种引线框架，其特征在于所述引线框架(I)中同列的连杆区域中设计有冲流道凹槽(7)。3.根据权利要求I或2所述的一种引线框架，其特征在于所述引线框架设计有两排 八排。4.根据权利要求3所述的一种引线框架，其特征在于所述引线框架I/O引脚设计有3 只脚 5只脚。全文摘要本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及一种IPAK/TO-251引线框架，该框架的两排(或四排，或六排，或八排)载体的连接部位设计有应力释放槽及其同列的连杆区域中设计有冲流道凹槽。本专利技术在拥有防漏、防水、防脱、防反、精定位等基本功能外，还能使引线框架在冲压或封装过程中出现变形后产生的应力能集中释放，从而预防了塑封体、引线框架在受内应力后产生的分层，保障了产品的可靠性；同时也解决了封装后多浇道卸料难的问题，进而避免了产品在下工序轨道输送中出现的阻料现象。提高了生产效率，同时也提高了封装良率。文档编号H01L23/495GK102593092SQ20121007733公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月22日 优先权日2012年3月22日专利技术者崔卫兵 申请人:天水华天微电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔卫兵，
申请(专利权)人：天水华天微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：