RFID标签、标签读写器、数据管理系统及数据管理方法技术方案

本实施方式的RFID标签包括：构成层叠构件的层叠体；相对于该层叠体配设成能与外部进行通信的天线；以及与天线进行电连接的RFID电路。层叠体具有屏蔽放射线的屏蔽构件，以用屏蔽构件覆盖RFID电路的方式将RFID电路配置在该层叠体内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及以非接触方式互換信息的RFID (Radio Frequency Identification 射频标签)标签、标签读写器、数据管理系统、及数据管理方法。
技术介绍
上述RFID标签包括天线、与该天线进行电连接的ICantegrated Circuit 集成电路)芯片等RFID电路，对于RFID电路，通过天线利用标签读写器来以非接触方式对信息进行写入及读取。在这种情况下，相对于作为主设备的标签读写器而言，RFID标签作为从属设备来构成RFID系统，从而在近年来，以商品的管理、物品的履历的可追踪性等为目的而被导入各领域。例如，将RFID标签安装于清洗用的衣物，来提供给洗涤エ厂的エ序管理等。因此， 应该采用耐水性、耐溶剂性优异的RFID标签，可以考虑采用具有以下结构的RFID标签即， 将在绝缘基材上安装有IC芯片及天线线圈的IC标签插入物配置在与该插入物分开设置的承载盘的收纳部，利用填充树脂来与承载盘构成一体。另外，特別出于提高抗化学药品性的目的，提出了以下方案，S卩，利用上侧玻璃及下侧玻璃夹住天线和IC芯片来构成RFID标签。根据该结构，利用树脂或玻璃板来覆盖天线和IC芯片，从而能将该RFID标签应用到使用有机溶剂等的环境中。专利文献1 日本专利特开2006-98866号公报专利文献2 日本专利特开2006-7观04号公报专利文献3 日本专利特开2008-250426号公报
技术实现思路
另ー方面，近年来，提出了以下的要求S卩，即使在核电站等遭受放射线辐射的环境下，也能利用RFID标签来进行各种管理，从而カ图预防事故的发生。然而，即使是如上述那样环境适用性优异的RFID标签，但在可能会因放射线而发生数据错误的特殊环境下，也不能使用RFID标签。即，对于RFID标签，一方面需要确保利用其天线与外部进行通信，另一方面，必须进行保护以免受放射线所造成的损坏，因而，难以使RFID标签在上述特殊环境下正常地起作用。在现有的文献中，实际上不存在关于上述RFID标签的耐放射线性的启7J\ ο此外，有的RFID标签使用CRC校验码来检测数据错误，基于ECC校验码来校正1 比特的错误，以复原正确的数据。然而，若将RFID标签暴露于放射线，则随着该放射线的照射时间的増加，存储部中的数据错误会不断累积。另外，根据辐射量的不同，也可能会在存储部中产生连续多个比特的连续的丛集错误(burst error)，因而，可能会发生不能修正1 比特的错误、更不能检测数据错误的情況。由此，未设想在暴露于放射线或宇宙射线那样的特殊环境中使用RFID标签的情況，从而难以在上述特殊环境中使用RFID标签来进行该错误修正那样的处理。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够在暴露于放射线那样的特殊环境中防止产生数据错误并正常起作用的RFID标签、标签读写器、数据管理系统及数据管理方法。本实施方式的RFID标签包括构成层叠结构的层叠体；相对于该层叠体配设成能与外部进行通信的天线；以及与天线进行电连接的RFID电路。层叠体具有屏蔽放射线的屏蔽构件，以用屏蔽构件覆盖RFID电路的方式将RFID电路配置在该层叠体内。另外，本实施方式的数据管理系统是用于对在主设备与从属设备之间通过无线通信单元来以非接触的方式进行通信的数据进行管理的系统。从属设备包括非易失性存储単元，该非易失性存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据；以及从属设备侧控制部，该从属设备侧控制部对整个该从属设备进行控制。主设备包括主设备侧控制部，该主设备侧控制部控制通过无线通信単元的数据的读出及写入。采用以下结构即， 利用从属设备侧控制部或主设备侧控制部，基于冗余数据，对从非易失性存储单元中读出的数据进行差错检验处理，在该检验处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理。冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的任意ー个值设为01、将另ー个值设为10 的比特对来进行编码后的数据。而且，从属设备侧控制部或主设备侧控制部在差错检测处理中，对于从非易失性存储单元中读出的数据，若构成比特对的两个比特值为0，则判断为比特对中存在差错。附图说明图1是示意性表示实施方式1的RFID标签的图，图1 (a)是其纵剖侧视图，图1 (b) 是横剖俯视图。图2是对屏蔽构件的布线材料附近部分进行扩大表示的纵剖侧视图。图3是简要表示RFID标签的电学结构和数据管理系统的概要的框图。图4是将RFID标签应用到核设备的维修管理系统的ー个例子的图。图5是表示中子射线用屏蔽构件的厚度与中子射线的透射率之间的关系的图。图6是表示Y射线用屏蔽构件的厚度与Y射线的透射率之间的关系的图。图7是表示中子射线的能量与各材料的吸收截面积之间的关系的图。图8表示实施方式2，图8(a)是相当于图1 (a)的图，图8 (b)是将RFID标签安装到施以绝热材料的配管的情况的概要图。图9表示实施方式3，是相当于图1(a)的图。图10表示实施方式4，是相当于图1(a)的图。图11表示实施方式5，是相当于图1的图。图12表示实施方式6，是相当于图1的图。图13表示实施方式7，是用于说明RFID标签、标签读写器的种类、及其組合的图。图14是表示被动型的RFID标签及标签读写器的电学结构、以及数据管理系统的概要的框图。图15(a)及(b)是表示主动型的RFID标签及标签读写器的存储部的各映射映象 Uiiap image;的图。图16是表示被动型的RFID标签中的存储部的映射映象(map image)的图。图17(a)及(b)是用于说明主数据及第ー差错检验码、及第ニ差错检验码的图。图18是表示RFID标签中的存储部的存储器映射的图。图19是用于说明主数据及第一差错检验码的各自的比特对、和各比特对中的实际的使用地址的例子的图。图20是用于说明使用奇偶效验码(parity)的差错检验处理和差错校正处理的图。图21 (a)是表示作为比特对进行编码后的数据的图，图21(b)是表示作为比特对进行编码后的主数据及第一差错检验码的ー个例子的图。图22是表示数据从1向0单向发生变化的错误、和代入数据的代入模式的ー个例子的图。图23是表示写入数据的情况下的整个处理流程的流程图。图24是表示读出数据的情况下的整个处理流程的流程图。图25是表示对相同地址连续地读出数据的处理的ー个例子的流程图。图26是表示相关数据读取处理的流程的流程图。图27是表示使用各冗余数据的差错校正处理的流程的流程图。图28是表示与第一差错检验码相关的差错校正处理的流程的流程图。图29是表示与多重化相关的差错校正处理的流程的流程图。图30是表示与奇偶效验码相关的的差错校正处理的流程的流程图。图31是表示与第一差错检验码及第ニ差错检验码相关的差错校正处理的流程的流程图。图32是用于说明基于二重化的数据的差错校正处理的图。图33表示实施方式8，是用于说明基于三重化的数据的差错校正处理的图。图34表示实施方式9，是相当于图21(b)的图。图35表示实施方式10，是相当于图34的图。图36表示实施方式11，是表示与ID数据相关的差错校正处理的流程的流程图。图37表示实施方式12，是用于说明各种差错校正程序分别进行差错校正的对象的图。图38是表示主差错校正程序或副差错校正程序的处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺浦信之，
申请(专利权)人：寺浦编码研究有限公司，日本NUS株式会社，
类型：发明
国别省市：