一种蓝宝石晶体生长炉制造技术

本发明专利技术公开了一种蓝宝石晶体生长炉，它包括炉体（1），在炉体（1）上设有电极（10）；炉体（1）内安装有反射屏，在反射屏内设有固定盘（3）、坩埚（11）以及发热体（6），固定盘（3）与炉体（1）底部固定，坩埚（11）通过钨棒组（12）固定在固定盘（3）上，发热体（6）位于坩埚（11）与反射屏之间，发热体（6）的两极与电极（10）连接；炉体（1）的外部设有提拉支架（8）及提拉杆（9），提拉杆（9）的上端部活动安装在提拉支架（8）上，顶部设有开口，底部与坩埚（11）联通。本发明专利技术提供的这种蓝宝石晶体生长炉，采用泡生法蓝宝石晶体生长工艺，实现直径大于250mm蓝宝石晶体的规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蓝宝石晶体生长炉。
技术介绍
随着LED照明产业的快速发展，蓝宝石晶体衬底材料市场需求将迅速增长。由于蓝宝石晶体的熔点高达2050° C，莫氏硬度为9，仅次于金刚石，因此晶体生长和加工技术难度很高，世界上只有极少数国家能制备出满足衬底质量和尺寸要求的蓝宝石晶体。目前蓝宝石晶体的生长技术主要有火焰法、提拉法、导模法、热交换法、泡生法、温梯法和下降法生长技术。火焰法生长蓝宝石晶体具有镶嵌、气泡等严重体缺陷，达不到光学质量的要求。 提拉法生长蓝宝石晶体具有热应力大、位错密度高，利用率不高的缺点；而热交换法整个晶体生长阶段通流动氦气，而且对控温装置的精确度要求苛刻，因而成本很高。导模法生长蓝宝石晶体的优点是可以根据实际需要生长不同形状的晶体，但难以生长高光学质量的晶体。泡生法的生长效率很高，单根晶体的重量在30多公斤以上，晶体成本较低，晶体品质能达到光学级和基片级的要求，是目前LED蓝宝石晶体的主流生长技术。
技术实现思路
本专利技术提供了一种蓝宝石晶体生长炉，采用泡生法蓝宝石晶体生长工艺，实现直径大于250mm蓝宝石晶体的规模化生产，本专利技术生长出的晶体纯度彡99. 9本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宏鹤，施吉祥，胡森，吴成荣，唐忠元，
申请(专利权)人：郭宏鹤，
类型：发明
国别省市：