一种LED光源漫反射器，所述漫反射器的整体材料为具有高漫反射率的陶瓷，或者所述漫反射器的局部部位的材料为具有高漫反射率的陶瓷，该局部部位包括朝向LED光源的反光面部位。本实用新型专利技术提供的漫反射器具有反光面长久使用不老化、不变黄、耐温性好的优点，长期使用后仍然能够保持高漫射率，从而保持LED光源的光效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及固态照明技术，特别涉及用于LED光源远程荧光粉技术的漫反射器。
技术介绍
固态照明是一种以半导体LED (Light Emitting Diode)芯片作为发光元件的照明技术。在固态照明技术中，为了解决传统封装结构中，LED芯片温度升高会导致荧光粉老化，光衰严重，以及眩光问题，人们专利技术了远程荧光粉技术，就是在离LED芯片表面一段合适的距离上布设荧光粉，通过LED芯片激发荧光粉发光来产生柔和均勻的光线，而且芯片温度升高不会导致荧光粉老化。在这种远程荧光粉技术中，采用了具有高漫反射率的漫反射器来提高荧光粉激活后的整体出光效率。然而，现有的这种漫反射器是用塑料制成的，耐温性差，容易老化、变黄，使用一段时间后就会导致LED光源的光效急剧下降。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种长久使用不老化、不变黄、耐温性好的LED光源漫反射器。本技术是这样实现的一种LED光源漫反射器，所述漫反射器的整体材料为具有高漫反射率的陶瓷；或者所述漫反射器的局部部位的材料为具有高漫反射率的陶瓷， 所述局部部位包括朝向LED光源的反光面部位。本技术的优点是漫反射器的整体材料或者反光面的材料为陶瓷，因此漫反射器的反光面能够长久使用不老化、不变黄、耐温性好，长期使用后仍然能够保持高漫射率，从而保持LED光源的光效。附图说明图1是本技术实施例一的结构示意图；图2是本技术实施例二的结构示意图；图3是本技术实施例三的结构示意图；图4是图3的剖视图。具体实施方式实施例一参见图1，LED光源漫反射器的整体形状近似圆桶形，在其底面设有多个容纳LED 光源的通孔1，每个通孔1可容纳一个或多个LED光源。LED光源是以半导体LED芯片为发光体的光源。整个漫反射器都是以具有高漫反射率的陶瓷制成。本技术所述的具有高漫反射率的陶瓷是指漫反射率达到0. 95以上的陶瓷，例如含有氧化镁、硫酸钡、二氧化钛等高漫反射率材料的陶瓷。整个陶瓷漫反射器可采用注射、干压、等静压、热压铸成型等工艺制成。本实施例的另一种结构形式也可以是用塑料制成一个如图1所示形状的基体，只在该基体的朝向LED光源的表面，亦即在该基体的圆周内壁2以及底部内壁3设置一层具有高漫反射率的陶瓷，该层陶瓷可采用喷涂、溅射、镶嵌等工艺固定在基体上。实施例二图2所示的LED光源漫反射器与实施例一的区别主要是漫反射器的形状不同，其他结构形式以及有关陶瓷材料的说明请参照实施例一。实施例三如图3和图4所示，LED光源漫反射器的整体形状为圆台形，圆台内部具有由圆锥形空腔4和圆柱形空腔5组合而成的内腔。LED光源安装在靠近圆锥形空腔4与圆柱形空腔5衔接部位的位置，圆锥形空腔4的表面就是朝向LED光源的反光面。整个LED光源漫反射器用具有高漫反射率的陶瓷材料制成，或者也可以用塑料制成一个如图3所示形状的基体，只在该基体的圆锥形空腔4的表面设置一层具有高漫反射率的陶瓷。本实施例有关陶瓷材料的说明请参照实施例一。权利要求1. 一种LED光源漫反射器，其特征是所述漫反射器的整体材料为具有高漫反射率的陶瓷；或者所述漫反射器的局部部位的材料为具有高漫反射率的陶瓷，所述局部部位包括朝向LED光源的反光面部位。专利摘要一种LED光源漫反射器，所述漫反射器的整体材料为具有高漫反射率的陶瓷，或者所述漫反射器的局部部位的材料为具有高漫反射率的陶瓷，该局部部位包括朝向LED光源的反光面部位。本技术提供的漫反射器具有反光面长久使用不老化、不变黄、耐温性好的优点，长期使用后仍然能够保持高漫射率，从而保持LED光源的光效。文档编号F21V7/22GK202303198SQ20112039467公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月17日 优先权日2011年10月17日专利技术者莫卓荣 申请人:莫卓荣本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：莫卓荣，
申请(专利权)人：莫卓荣，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。