【技术实现步骤摘要】
用于真空工艺的阀
下面的描述涉及一种用于真空工艺的阀，其根据半导体制造工艺中的阶段来控制真空度。
技术介绍
真空系统用于制造半导体器件。在化学气相沉积(CVD)系统中，当为腔室内的气体提供能量以成为等离子态时，腔室内的晶片中发生反应，薄膜形成在晶片上。工艺中产生的多余的反应物通过泵和管道排出。这些真空系统包括用于控制泵和管道的真空度的阀。因此，外来物质因腐蚀性气体而沉积在阀内，这可能减少装置的使用寿命，甚至导致泵出现严重的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种用于真空工艺的阀，其使外来物质在打开状态下在阀部件上的沉积最小化。本专利技术实施例的另一目的是提供一种用于真空工艺的阀，其使轴在向后或向前运动期间的偏斜最小化。为了实现依照这些目的的这些或其它优点，提供一种用于真空工艺的阀，其包括 第一阀体，具有入口和出口 ；密封单元，构造成向前移动至入口和从入口向后移动，以具有闭合位置和打开位置；轴，由波纹管覆盖，并构造成使密封单元在闭合位置与打开位置之间移动；盖，用于在密封单元处于打开位置时使波纹管避开腐蚀性气体；和盖引导单元，构造成引导盖沿着轴移动。密封单元...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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