微晶薄膜晶体管、包括该晶体管的显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种微晶薄膜晶体管、包括该晶体管的显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：基板；在所述基板上彼此交叉以限定像素区域的选通线和数据线；薄膜晶体管，其连接到所述选通线和数据线，并且该薄膜晶体管包括顺序形成的栅极、由微晶硅制成的有源层、以及源极和漏极；所述薄膜晶体管上的钝化层；以及所述钝化层上的像素区域中的第一电极，该第一电极连接到所述漏极，其中，所述漏极和所述栅极之间的第一交叠宽度小于所述源极和所述栅极之间的第二交叠宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微晶薄膜晶体管，更具体地涉及微晶薄膜晶体管、包括该微晶薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。
技术介绍
本专利技术要求2010年12月8日提交的韩国专利申请No. 10-2010-0125110的优选权，通过弓I用将其结合于此用于一切目的，如同全面在此阐述一样。直到最近，显示装置通常使用阴极射线管(CRT)。目前，为了开发作为CRT的替代品的诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)、和有机电致发光显示器(OLED)的各种类型的平板显示器进行了很多努力和研究。作为这些平板显示器， 通常使用有源矩阵型显示器，其包括以矩阵形式排列的多个像素并且每个像素包括作为开关元件的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括由诸如硅的半导体制成的有源层。由于可在诸如便宜的玻璃基板的大尺寸的基板上形成非晶硅(a_Si:H)并且工序因此很简单，所以非晶硅被广泛使用。然而，由于其低场效应迁移率，使用非晶硅的薄膜晶体管响应时间慢，并且很难针对大尺寸的显示装置以高速度驱动。因此，建议采用使用多晶硅的薄膜晶体管的显示装置。在使用多晶硅的显示装置中，可在相同基板上形成像素区域中的薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金杞泰，金圣起，李洪九，裵俊贤，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：