本发明专利技术公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法，该方法采用硫酸锌溶液作为Zn2+源，以硫脲溶液作为S2-源，以氨水作为缓冲剂，以柠檬酸钠作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在铜铟镓硒薄膜和普通玻璃衬底上制备粒径分布均匀、致密且附着力较好的Zn(O，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层；用Zn(O，S)替代CdS作为铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的缓冲层，不仅使铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的生产更环保、更经济，而且由于Zn(O，S)的带隙宽度比CdS的带隙宽度大，能使更多的入射光子通过缓冲层到达吸收层，提高电池的短路电流，有利于提高电池的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜太阳能电池关键材料的制备技术，具体涉及。
技术介绍
铜铟镓硒Cu (IrvxGax)^52，简称CIGS薄膜太阳能电池的典型结构是由玻璃衬底、 钼(Mo)背电极层、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层、铝电极、氟化镁(MgF2)减反射层组成。光从透明电极入射，经过减反膜、窗口层、缓冲层到达吸收层被吸收，产生光生载流子。薄膜太阳能电池的缓冲层材料目前主要用硫化镉(CdS)半导体材料，缓冲层的主要作用是1.结构过渡缓冲，减少晶格失配度。纤锌矿体系的CdS与黄铜矿结构的CIGS半导体材料具有良好的晶格匹配；2.CdS的禁带宽度2. 4eV,透光性较好，光通过缓冲层损失较少；3.保护吸收层，避免随后溅射氧化锌(ZnO)窗口层时造成对CIGS吸收层的损害； 目前，以化学水浴法制备的CdS半导体薄膜作为缓冲层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率最高达到19. 9%。但是目前使用的CdS薄膜中含高污染金属Cd，电池生产过程中含镉的废水处理以及报废电池中镉的回收比较困难，都将造成对环境的污染。另一方面，CdS薄膜的禁带宽度只有2. ^V，不利于CIGS/CdS薄膜太阳能电池对太阳光短波波段的响应。所以CdS缓冲层的应用将越来越制约CIGS薄膜太阳能电池的大规模生产和应用。因此，研究不含镉的、有利于批量生产的新型绿色缓冲层材料代替CdS，是铜铟镓硒薄膜太阳能电池发展的必然趋势。aiS，In2S3, ZnSe, SnO2, ZnIn2Se4等被作为CIGS薄膜太阳电池的新型缓冲层材料，正在被研究开发，应用于绿色无镉高效CIGS薄膜太阳电池。II 一Vl族直接带隙半导体化合物aiS，在常温下带隙为3. 7 eV，组成元素无毒且储量丰富。目前ZnS薄膜的制备方法主要有电化学沉积、化学浴沉积(CBD )、真空蒸发法、激光脉冲法、分子束外延(MBE )等。物理气相法制备ZnS缓冲层与吸收层的制备方法兼容，有利于CIGS薄膜太阳电池生产线的建立，缺点是物理气相法制备ZnS不能很好的均勻覆盖CIGS吸收层；化学浴沉积法是制备CIGS薄膜太阳电池缓冲层最有效的方法，其优点是(1)化学浴法沉积的缓冲层能很好地均勻覆盖CIGS吸收层。(2)化学浴法制备的ZnS薄膜是一种天然η型半导体材料，不需要特意进行掺杂来获得。(3)工艺简单有效、成本低、设备简单，不要求真空沉积系统，温度较低。(4)生成的半导体薄膜质量高，均勻致密。(5)易实现大规模生长，具有广阔的应用前景。与化学浴沉积CdS相比，化学浴沉积制备ZnS反应速度慢。在碱性条件下，ZnS化学浴沉积过程中同时伴随Si(OH)2的产生，在干燥过程中Zn(OH)2脱水生成加0，所以一般把化学浴制备的ZnS写作Si(Oj)薄膜，这种薄膜具有和CdS相似的特点，禁带宽度比CdS更宽，用它替代CdS作为铜铟镓硒薄膜电池的缓冲层，可以提高电池的短波响应，让更多高能的光子收集在电极上，从而改善短路电流，并且它对环境无害，是一种的较为理想的缓冲层材料
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，该方法采用化学浴沉积法，以硫酸锌(ZnSO4 · 7H20)作为Si2+源，即阳离子前驱物，以硫脲 (SC(NH2)2)作为S2—源，即阴离子前驱物，以氨水(ΝΗ3·Η20)作为缓冲剂，以无毒的柠檬酸钠 (C6N5O7Na3 · 2Η20)作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，把已制备好铜铟镓硒薄膜的衬底和清洗干净的玻璃衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入水浴锅中进行恒温反应，制备得到&ι(0，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层材料。本专利技术提供的一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法包括以下具体步骤(1)配制标准溶液采用去离子水分别将各种试剂配制成一定浓度的溶液，保存在密闭玻璃瓶中备用；不同试剂的浓度分别为硫酸锌(ZnSO4 · 7H20) :0. 2mol/L ；柠檬酸钠 (C6N5O7Na3 ·2Η20) 0. lmol/L ；质量分数为 25% 的氨水(NH3 -H2O)；硫脲(SC(NH2)2)则采用称量后直接将其粉末加入到反应前驱液中；(2)铜铟镓硒衬底的制备把尺寸为2.5cmX 1. 5cm的玻璃衬底分别在乙醇、丙酮、去离子水中各超声清洗10!11^1，用队气吹干；在清洗干净的玻璃衬底上，采用磁控溅射技术， 首先制备钼(Mo)电极，然后制备铜铟镓金属预制层，再采用固态硒粉作为硒源，在真空环境下硒化形成铜铟镓硒吸收层；(3)化学反应前驱物的配制在铜铟镓硒吸收层和玻璃衬底上制备&ι(0，S)薄膜作为缓冲层首先量取0. 2mol/L硫酸锌(ZnSO4 · 7H20)溶液1 IOml加入到容积为100 ml的干净烧杯中，然后边搅拌边加入0. lmol/L的柠檬酸钠(C6N5O7Na3 ·2Η20)溶液广:3ml，质量分数 25%的氨水(NH3 -H2O) 1 :3ml，然后再加入适量去离子水，使烧杯中溶液的总体积为100ml， 最后将称量好的0. 46、. 92g的硫脲SC(NH2)2粉末加入溶液中，搅拌均勻；(4)在铜铟镓硒吸收层衬底上制备&ι(0，S)缓冲层把已经制备好的铜铟镓硒吸收层衬底和清洗干净的玻璃衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入 5(T80°C的水浴锅中进行恒温反应，反应时间为20mirTl20min ；(5)反应结束后，将样品取出，并用去离子冲洗，以去除吸附在样品表面的胶体颗粒和絮状沉淀物，然后干燥，得到所需的&ι(0，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料。(6) Ζη(0, S)半导体薄膜的处理和表征反应结束后，将样品取出，并用去离子水冲洗，以去除吸附在样品表面的胶体颗粒和絮状沉淀物，然后进行干燥，得到所需的&1(0， S)半导体薄膜缓冲层。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)以及紫外-可见光吸收光谱等分析方法，对所制备的Si (0, 半导体缓冲层的形貌、 结构、成分和光学性能进行分析。通过改变化学浴反应前驱物中络合剂的浓度、缓冲剂的浓度、溶液的pH值、反应时间和反应温度，可以控制&ι(0，S)颗粒的尺寸大小和薄膜的厚度，Ζη(0, S)颗粒粒径在50 IOOnm范围内，薄膜的光学带隙Eg为3. 7 3. 9eV。本专利技术的有益效果是本专利技术采用硫酸锌(ZnSO4 · 7H20)作为Zn2+源，硫脲(SC(NH2)2)作为S2—离子源，氨水 (NH3 · H2O)作为缓冲剂，以无毒的柠檬酸钠(C6N5O7Na3 · 2H20)作为络合剂来配制化学反应前驱物，采用化学水浴沉积法在铜铟镓硒吸收层上制备&ι(0，S)缓冲层。化学水浴沉积过程中是在络合剂和缓冲剂作用下，溶液缓慢释放Si2+和S2_离子，在衬底上生成Si (0，S)半导体薄膜。化学水浴法制备薄膜时，通过调节反应溶液的PH值、沉积温度、沉积时间、反应溶液配比等因素可以控制反应速度和成膜的质量、光学和电学特性等。本专利技术还具有以下效果(ι)在铜铟镓硒薄膜太阳能电池中，采用ai(o，s)缓冲层代替传统的CdS缓冲层，不仅使太阳能电池的生产更环保、更经济，而且由于ai(o，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏爱香，刘军，赵湘辉，招瑜，刘俊，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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