芘主链聚合物及含有该聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法技术

提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明专利技术的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
可以将抗反射涂层(ARC)材料加入平版印刷操作过程中使用的成像层中，以将制造装置过程中成像层与目标材料层之间的反射率最小化。然而，当加入ARC材料的成像层与目标材料层具有相似的组成时，成像层会显示出很差的蚀刻选择性，使得在蚀刻目标材料层的过程中部分成像层会损耗。因此，可以包括硬掩模作为中间层，该硬掩模设置在成像层和目标材料层之间。硬掩模可以从上面的成像层接受图案，并可被用于将图案转移至下面的材料层。然而，需要显示抗反射性能的硬掩模材料。于2006年12月30日提交至韩国知识产权局的、专利技术名称为“High Etch Resistant Hardmask Composition Having Antirefiective Properties with High Carton Content and Method for Forming Patterned Material Layer Using the Same (具有高抗发射性和高碳含量的高抗蚀刻硬掩模组合物和使用该组合物形成图案化材料层的方法)”的韩国专利申请No. 10-2006-0139169本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹敬皓，金钟涉，鱼东善，吴昌一，邢敬熙，金旼秀，李镇国，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：