含有带脂肪族环和芳香族环的树脂的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术要提供兼有耐热性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层膜。提供了含有脂环式环氧聚合物(A)与稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)的反应生成物(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。上述脂环式环氧聚合物(A)具有下述式(1)：(T表示聚合物主链中的具有脂肪族环的重复结构单元，E表示环氧基或具有环氧基的有机基团。)所示的重复结构单元。此外，上述稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)中含有稠环式芳香族羧酸(B1)和单环式芳香族羧酸(B2)，它们的摩尔比为B1∶B2＝3∶7～7∶3的比例。进而上述稠环式芳香族羧酸(B1)是9-蒽甲酸，上述单环式芳香族羧酸(B2)是苯甲酸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体基板加工有效的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物(下文中也称作“抗蚀剂下层膜形成用组合物”)、以及使用由该组合物形成的光刻用抗蚀剂下层膜(下文中也称作“抗蚀剂下层膜”)的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。
技术介绍
一直以来，在半导体装置的制造中，使用光致抗蚀剂组合物通过光刻进行微细加工。上述微细加工是下述加工法通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，隔着描绘了半导体器件图案的掩模向该光致抗蚀剂组合物的薄膜照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理。然而，近年来，半导体器件不断高度集成化，所使用的活性光线有发生从KrF准分子激光048nm)向ArF准分子激光(193nm)短波长化的倾向。与此相伴，活性光线在基板上的漫反射和驻波的影响成了大问题。因此，广泛研究了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置防反射膜(底部抗反射涂层，bottom anti-reflective coating)的方法。但随着抗蚀剂图案不断微细化，现在产生成像清晰度的问题和抗蚀剂图案显影后倒塌的问题，因而希望抗蚀剂薄膜化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：新城彻也，西卷裕和，境田康志，桥本圭祐，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：