半导体存储卡制造技术

根据一个实施例，半导体存储卡包括第一插脚组，其中包括多个呈直线设置在插入连接器方向一侧的末端部分上的插脚，并且所述第一插脚组中的一部分在所述第一和第二模式下使用；以及第二插脚组，其中包括多个插脚，所述多个插脚包含至少两个用于差分信号的插脚对，所述第二插脚组被排列为使得接地定位在用于差分信号的插脚对中每个插脚对的两侧，并且只在所述第二模式下使用。在所述第二模式下，在配置所述第一插脚组的各个插脚当中，任何两个邻近插脚更改为用于差分时钟信号的插脚对，并且所述第一插脚组中的剩余插脚的功能被停止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
此处所述的实施例一般地涉及半导体存储卡。
技术介绍
近几年，已开始使用其中例如采用诸如NAND闪速存储器之类的半导体存储器的存储卡记录连续拍摄的静态图像和高清动作图像。接着，这些存储卡用于在短时间内读写大量信息，即，提高数据传输速度。在传统SD 存储卡(下文称为SD存储卡)中，数据传输速度高达20MB/秒。然后，除了正常操作模式(正常模式)，甚至在其中采用高于正常模式的速度读写信息的操作模式(高速模式)下，也能够在保持与正常主机设备的兼容性的同时执行高速数据传输。在启用操作模式切换的情况下，如果所有插脚的功能在每种模式下更改，则控制半导体存储器的控制器上的负载便会增加，这样会阻止数据传输速度增加。因此，提供与用于正常模式的插脚不同的用于高速模式的插脚。另一方面，如果对应于高速模式下使用的所有信号新提供类似于双行排列(例如MMC (多媒体卡)标准中采用的那样)的插脚，这样便会增加对上面安装半导体存储器的电路基底上的布线布局的限制(请参见专利文献1)。专利文献1 日本专利申请公开号2005-8493
技术实现思路
一般而言，根据一个实施例，半导体存储卡包括安装在基底一个表面上的半导体存储器和安装在基底另一表面上并控制所述半导体存储器的控制器，所述半导体存储卡能够在第一和第二模式下操作，其中所述第二模式下的数据传输速度高于所述第一模式。所述半导体存储卡包括第一插脚组，其包括多个呈直线设置在插入连接器方向的一侧的末端部分上的插脚，所述第一插脚组在所述第一模式下用作四个数据插脚、一个命令插脚、一个电源插脚、一个时钟插脚以及两个接地插脚，并且所述第一插脚组中的一部分在所述第一和第二模式下使用；以及第二插脚组，其包括多个插脚，所述多个插脚包含至少两个用于差分信号的插脚对，所述第二插脚组被设置为使得接地定位在用于差分信号的插脚对中每个插脚对的两侧，并且只在所述第二模式下使用。在所述第二模式下，在配置所述第一插脚组的各个插脚当中，在所述第一模式下用作数据插脚、命令插脚和时钟插脚的插脚中的任何两个邻近插脚更改为用于差分时钟信号的插脚对以作为用于差分时钟信号的插脚对执行功能，并且所述第一插脚组中的剩余插脚的功能被停止。附图说明图1是示出根据第一实施例作为半导体存储卡的SD存储卡的配置的横截面图；图2A和图2B是示出从下外壳侧看去SD存储卡的外观的图表；图3是示出电路基底的存储器封装安装表面上的阻焊剂开口图形的配置实例的图表；图4是电路基底背侧的平面图；图5是示出其中在电路基底上形成的用于正常模式的端子图形、电阻元件组和接合指分别被电硬布线的状态的图表；图6是示出其中在电路基底上形成的用于高速模式的端子图形、电阻元件组和接合指分别被电硬布线的状态的图表；图7是示出其中提供用于检测的凹口的SD存储卡的实例的图表；图8A和8B是示出包括用于检测的扩展插脚的SD存储卡的实例的图表；图9是示出进一步针对高速模式添加一个插脚的SD存储卡的实例的图表；图IOA和IOB是示出根据第二实施例作为半导体存储卡的SD存储卡的外观的图表；图11是示出根据第三实施例作为半导体存储卡的SD存储卡的外观的图表；图12A、图12B、图12C、图12D和图12E是示出在下外壳中提供的薄部分的形状实例的图表；以及图13是示出其中用于高速模式的插脚以不同于用于正常模式的插脚的方向设置的SD存储卡的实例的图表。具体实施例方式下面将参考附图详细地介绍半导体存储卡的示例性实施例。本专利技术不限于下面的实施例。图1是示出根据第一实施例作为半导体存储卡的SD存储卡的配置的横截面图。图 1中的片上的左方向是插入连接器的方向，左侧被定义为“前”。以类似的方式，图1中的片上的右方向是从连接器移除的方向，右侧被定义为“后”。而且，图1的片上的上方向被定义为“上”，以及图1的片上的下方向被定义为“下”。如图1所示，SD存储卡100的外部由上外壳1和下外壳2构成，所述下外壳2的边缘粘在上外壳1上并容纳存储器封装和控制所述存储器封装的控制器。在由上外壳1和下外壳2构成的SD存储卡100中，例如，由诸如NAND型闪速存储器之类的非易失性半导体存储器构成的存储器封装3A和:3B和控制所述存储器封装的控制器12被安装在电路基底7上。存储器封装3A和;3B安装在电路基底7的上表面(上外壳 1侧)并且控制存储器封装3A和;3B的存储控制器12安装在电路基底7的背侧(下外壳 2侧)且恰好位于存储器封装3A下方。围绕存储控制器12形成树脂灌封(potting)4以保护存储控制器12。在SD存储卡100前下部分中，形成端子部分6a，所述端子部分电连接到未示出的外部设备并用于在正常模式下，在存储器封装3A和;3B中输入和输出数据。而且，在位于相对于沿前后方向的中央的后端侧上的下部分中，形成用于在高速模式下，在存储器封装3A和;3B中输入和输出数据的端子6b。沿前后方向的SD存储卡100的中央部分是在连接到主设备或从主设备移除时容易地接收弯曲应力、扭转应力等应力的部分，且由于缺少存储器封装3A和3B，因而在结构上是弱的；但是由于提供端子部分6b导致的SD存储卡100硬度下降可通过在避免此部分的同时，在后端侧形成端子部分6b来减少。存储器封装3A和;3B中的数据通过存储控制器12和端子部分6a及6b与未示出的外部设备(主设备)进行交换。多个电阻元件(下文中描述为电阻元件(组)如和恥) 在电路基底7的后侧上的存储控制器12和端子部分6a及6b之间形成。所述电阻元件fe 和恥的电阻值采取例如从数到数十的值。所述电阻元件组恥还设置在后端侧以避免沿前后方向的由于缺少存储器封装3A和;3B而导致结构弱的SD存储卡100的中央部分。上外壳1包括用于贴附标签的标签贴附凹槽8 (所述标签上印刷有SD存储卡说明或类似内容)和在附接到未示出的外部设备或从所述外部设备移除时夹住的夹持部9。图2A示出从下外壳2侧看去SD存储卡100的外观。图1所示的横截面结构是该图中的I-I横截面。SD存储卡100包括用于正常模式的第1至第9插脚以及用于高速模式的第10至第17插脚。所述第1至第9插脚的位置、形状和功能与正常SD存储卡中包括的插脚相同。换言之，第1插脚被指定DAT3 (数据)、第2插脚被指定CMD (命令)、第3插脚被指定GND (接地)、第4插脚被指定Vcc (电源)、第5插脚被指定CLK (时钟)、第6插脚被指定GND (接地)、第7插脚被指定DATO (数据)、第8插脚被指定DATl (数据)，以及第9插脚被指定 DAT2(数据)。第10至第17插脚是仅在高速模式下使用的插脚，第10插脚被指定GND (接地)、 第11插脚被指定DO+(差分数据+)、第12插脚被指定DO-(差分数据-)、第13插脚被指定 GND (接地)、第14插脚被指定Dl+(差分数据+)、第15插脚被指定Dl-(差分数据-)、第16 插脚被指定GND (接地)，以及第17插脚被指定Vcc2(电源)。换言之，包括用于差分信号的两个邻近插脚对(由第11和第12插脚构成的插脚对和由第14和第15插脚构成的插脚对)，并且每个插脚对被排列为由GND夹住。用于差分信号的插脚对分别具有一个通道的数据传输功能，以便SD存储卡100针对高速模式具有全部两个通道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田隆，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：