衬底处理设备和制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及衬底处理设备和制造半导体器件的方法。一种衬底处理设备包括处理室，其被配置为处理衬底；衬底支撑部件，其被设置在处理室内以支撑衬底；微波发生器，其被设置在处理室外面；波导发射端口，其被配置为将由微波发生器产生的微波供应到处理室中，其中，波导发射端口的中心位置偏离被支撑在衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且波导发射端口面对被支撑在衬底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及控制单元，其被配置为改变衬底支撑部件沿水平方向相对于波导发射端口的相对位置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于在衬底上形成诸如集成电路(IC)的半导体器件的衬底处理技术，并且更具体地涉及一种半导体制造设备，其能够使用微波来处理诸如半导体晶片(在下文中称为“晶片”)等的衬底，一种用于处理衬底的衬底处理设备以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
存在一种用于在半导体制造过程中在单个衬底(具有硅晶片或玻璃作为基底的具有在其上面形成的电路的精细图案的目标衬底)的表面上形成膜的化学汽相沉积(CVD)过程。在CVD过程中，将衬底加载到气密反应室中并由在反应室内提供的加热器来加热以在将膜形成气体供应到衬底上的同时引起化学反应，使得能够在形成于衬底上的电路的精细图案上均匀地形成膜。根据此类CVD过程，例如，可以使用有机化学材料作为膜形成原材料来形成高k膜，诸如HfO膜等，其是具有高介电常数的绝缘膜。由于以这种方式形成的HfO膜包含相当量(即，几个百分比)的由有机化学材料引起的杂质(诸如CH、OH等)，所以其具有不足的电绝缘性质。为了保证此类膜的充分的电绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.10.28 JP 2010-241891;2011.06.24 JP 2011-140101.一种衬底处理设备，包括：
处理室，其被配置为处理衬底；
衬底支撑部件，其被设置在所述处理室内以支撑所述衬底；
微波发生器，其被设置在所述处理室外面；
波导发射端口，其被配置为将由所述微波发生器产生的微波供
应到所述处理室中，其中所述波导发射端口的中心位置偏离被支撑
在所述衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且所述波导发射端口
面对被支撑在所述衬底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及
控制单元，其被配置为沿水平方向相对于所述波导发射端口改
变所述衬底支撑部件的相对位置。
2.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述衬底支撑部件绕着
所述衬底支撑部件的旋转轴水平地旋转，并且所述波导发射端口被固定
在偏离所述衬底支撑部件的旋转轴的位置处。
3.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述波导发射端口与被
支撑在所述衬底支撑部件上的衬底之间的距离短于供应微波的波长。
4.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述波导发射端口与被
支撑在所述衬底支撑部件上的衬底之间的距离对应于从所述波导发射
端口供应的微波的1/4波长的奇数倍。
5.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述衬底支撑部件包括
所述衬底被支撑在其上面的衬底支撑引脚和在所述衬底支撑引脚下面
提供的导电基座，以及
其中所述衬底支撑引脚的顶部与导电基座之间的距离对应于在
处理所述衬底时供应的微波的1/4波长的奇数倍。
6.根据权利要求5的衬底处理设备，其中所述导电基座是包括冷
却剂通道的金属基座。
7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤尾德信，小川云龙，奥野正久，八岛伸二，梅川纯史，南嘉一郎，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：