【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶硅制造测控
，涉及一种双镜头单晶炉测径仪。
技术介绍
单晶炉测径仪用于在单晶硅生长过程中测试硅棒的直径，以保证单晶硅晶体按照要求直径生长。现有的单晶炉测径仪是由底座、设在底座上的支架及标尺、滑轨、安装在支架上的一个镜头构成。使用时，将底座放置在单晶炉观察窗上来回拉动镜头进行测量。由于只有一个镜头，且需来回拉动，会产生测量误差，影响测量精度。同时，现有单晶炉测径仪测量误差变化较大，使用者需不定期校正；且标尺上没有目标直径值位置标记，测量不同尺寸的晶体直径时给使用者带来很大困难。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种双镜头单晶炉测径仪，解决了现有技术中存在的结构设置不合理，测量误差变化较大的问题。本技术所采用的技术方案是一种双镜头单晶炉测径仪，在底座上设置有滑轨，滑轨上安装有镜头一和镜头二，镜头一和镜头二均与标尺连接，标尺上刻有不同晶体尺寸目标直径值的位置标记，其中的镜头一与标尺固定连接，镜头二与标尺滑动连接。本技术的优点是通过设置两个测量镜头，测量晶体直径前，将一个镜头移动到要求尺寸的档上，两个镜头就通过标尺固定连接在一起，其距离不再变化。测量时只需移动一个镜头到测量位置，另一镜头随之一起移动，消除了因镜头被来回拉动引起的误差；同时通过测量、计算实际直径值与目标直径值位置标记之间的刻度差，即可知道实际直径值与目标直径值偏差，提高了测量精确度，且操作方便。附图说明图1是本技术装置的结构示意图；图2是本技术装置的俯视结构示意图。图中，1.底座，2.滑轨，3.镜头一，4.镜头二，5.标尺，6.位置标记。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李迎春，
申请(专利权)人：西安隆基硅材料股份有限公司，宁夏隆基硅材料有限公司，银川隆基硅材料有限公司，无锡隆基硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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