本发明专利技术涉及一种高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元仅由一个P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)、一个源极跟随晶体管(M11)和一个选择晶体管(M12)组成；对应像素阵列工作方法包括：重置：施加高正电压的选择控制信号(Φ12)和重置控制信号(Φ11)，以激活P+/N-Well/P-sub结构的二极管为节点充电；光集成：在一个固定光照集成时间内将Φ12和Φ11都置为低正电压，所述二极管中N-Well/P-sub部分积聚光产生载流子，所述节点放电；读出：在光集成后，只将Φ12改置为高正电压，对应所述载流子的光感信号通过M11和M12被列总线读出。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何进，苏艳梅，张东维，
申请(专利权)人：深港产学研基地，
类型：发明
国别省市：
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