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本发明涉及一种高填充系数的双CMOS图像传感器像素单元及其工作方法，其中像素单元仅由一个P+/N-Well/P-sub结构的二极管(N1)、一个源极跟随晶体管(M11)和一个选择晶体管(M12)组成；对应像素阵列工作方法包括：重置：施加高正...
该专利属于深港产学研基地所有，仅供学习研究参考，未经过深港产学研基地授权不得商用。

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