一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法技术

技术编号:7324160 阅读:205 留言:0更新日期:2012-05-09 23:49
本发明专利技术公开了一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法,通过在化学机械抛光及其后的清洗过程所用的超纯水中适量添加二氧化碳,以降低超纯水的电阻值,增强超纯水的导电性,中和释放与超纯水接触的硅片表面积累的静电电荷,从而减少对周围带电粒子的吸引,降低化学机械抛光后的微粒缺陷。本发明专利技术减少对周围带电粒子的吸引,可降低化学机械抛光后微粒缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方精训邓镭
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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