描述了一种制造雾化装置的雾化主体的方法。所述方法包括以下步骤：-提供支承元件，所述支承元件具有在支承元件的第一表面上的第一层和在支承元件的第二表面上的第二层，所述第一层包含第一穿孔膜，所述第二层包含工艺孔；通过提供刻蚀物质至所述工艺孔，刻蚀出穿过所述支承元件的空腔，所述空腔形成从所述工艺孔至所述穿孔膜的流体连接。获得的雾化主体可有利地应用于雾化装置或吸入器中。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及一种包含雾化主体的雾化装置。雾化主体和雾化装置从例如WO 02/18058 已知。作为本领域中已知的雾化主体和装置，例如，包含安装至支承元件的第一膜片和第二膜片，所述支承元件包含被配置为将流体从第一膜片引导至第二膜片的流体导管(例如空腔)。在本领域已公开的实施例中，支承元件具有一个从支承元件的第一表面延伸到支承元件的第二表面的空腔。所述膜片分别安装至所述第一和第二表面从而覆盖所述空腔。 在所述实施例中，第一膜片作为用于雾化来自所述空腔的流体的喷嘴使用，而第二膜片作为用于过滤通过所述第二膜片而接收于所述空腔内的流体的滤网使用。设置在膜片之间的空腔可，例如，通过将膜片(例如微机械结构)安装至包含所述空腔的支承元件上而获得。 这样的元件具有孔，通过该孔所述元件可在两侧被膜片覆盖。为了以这种方式制造雾化主体，需要膜片具有最低的强度，以将膜片安装到元件上。另外，必须为膜片提供将其粘附至元件上的方式。膜片可，例如，被胶合到元件上。然而，胶的应用对于某些应用可能是有害的，例如医疗应用。为了将膜片安装到元件上而在膜上施加的最小力对雾化头的小型化构成限制。在WO 02/18058中还建议将膜片提供至固体支承元件，并穿过膜片的气孔在膜片之间刻蚀出空腔。然而，这种方法可能是不方便的，因为穿过有效气孔的刻蚀工艺可能花费很长时间。鉴于以上，本专利技术的目的在于，提供一种制造供雾化装置中使用的雾化主体的可替换的方式。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造雾化主体的方法，所述方法包括以下步骤ο提供支承元件，所述支承元件具有在支承元件的第一表面上的第一层和在支承元件的第二表面上的第二层，所述第一层包含第一穿孔膜，所述第二层包含工艺孔和被设置为邻近于所述工艺孔的第二穿孔膜，ο通过提供刻蚀物质至所述工艺孔，刻蚀出穿过所述支承元件的空腔，所述空腔形成从所述工艺孔到所述第一穿孔膜和从所述第一穿孔膜到所述第二穿孔膜的流体连接。制造根据本专利技术的雾化主体的方法从支承元件出发，所述支承元件具有第一和第二穿孔膜以及工艺孔。依照本专利技术，穿孔膜用于允许流体进入雾化主体的空腔或离开雾化主体。应用于根据本专利技术的雾化主体的穿孔膜可，例如，通过在支承元件上提供层以及对所述层应用穿孔来获得。可通过平版印刷工艺提供一个或多个穿孔所需要的图案。作为一个实例，膜片可由氮化硅层制成。当提供诸如气孔的穿孔所需要的图案时(例如通过平版印刷工艺)，可通过例如刻蚀工艺在氮化硅层中实现一个或多个穿孔。在实施例中，雾化主体的第一膜片作为喷嘴使用。支承元件的第二层具有工艺孔和第二穿孔膜，所述第二穿孔膜被设置为邻近于所述第二层上的工艺孔并用于在支承元件中刻蚀出空腔。在本专利技术的含义中，工艺孔被理解为在第二层中的比较大的一个或多个穿孔，大是相对于第一膜片的穿孔尺寸或第二膜片的穿孔尺寸而言。通过应用比较大的穿孔，提供在支承元件的第一和第二层之间延伸的空腔的刻蚀工艺(例如，使用KOH的湿刻蚀工艺或使用例如Si^6气体的反应离子刻蚀工艺)变得容易。应该理解，刻蚀工艺通常是已知的。为了通过刻蚀而在支承元件的两个层之间形成空腔，两个层之间的材料需要接触刻蚀物质。在本专利技术的含义中，刻蚀物质是指可被用来执行刻蚀工艺的材料或物质。这种刻蚀物质的实例如KOH或TMAH。刻蚀物质还可包含用于刻蚀出该空腔的等离子体。这种等离子体的实例如SF6或01&。已经想到，通过膜的穿孔而接触支承元件可能并不方便且可能不会生成所要求的空腔(即，形成从第一层到第二层的流体连接的腔)。换句话说，设置在膜片中的气孔可能不足以支持需要的刻蚀工艺。 实际上，刻蚀工艺可在空腔完工之前停止。工艺孔能使刻蚀物质接触支承元件。以这种方式，刻蚀工艺不必依赖刻蚀物质通过第一膜片或第二膜片的穿孔接触支承元件。由于刻蚀工艺，建立了用于形成从工艺孔至第一穿孔膜以及从第一穿孔膜至第二穿孔膜的流体连接的空腔。在使用由该制造方法获得的雾化主体的过程中，这样的空腔能使流体通过工艺孔进入该空腔且通过第一穿孔膜离开该空腔。为了制造例如作为喷嘴或滤网的工艺孔或膜片，可应用诸如等向性刻蚀和非等向性刻蚀的刻蚀工艺。如果将第一穿孔膜作为喷嘴应用，通过工艺孔进入雾化主体的空腔的流体可，例如通过提供覆盖该工艺孔的覆盖物而被过滤，所述覆盖物例如由多孔材料制成或包含多孔材料。雾化主体的第二穿孔膜可，例如作为滤网。因此，根据本专利技术的制造方法提供工艺孔，所述工艺孔促进了与设置在膜片之间的支承元件的体积的接触。同样，工艺孔被设置为邻近于第二穿孔膜。通过提供该工艺孔， 产生了能使刻蚀剂移除支承元件的位于第一和第二片之间的部分的接触。依照本专利技术，通过刻蚀支承元件提供从第一穿孔膜延伸至第二穿孔膜的空腔，以使流体能够第一和第二膜片之间流动。通过这样做，不需要操作膜片(即，将膜片安装至支承结构)来获得由两个膜片封闭的空腔。因此，对膜片的强度要求可不必太严格，从而允许应用非常薄的膜片(0.5至5μπι厚)。这些薄膜的应用可使得在膜上的压力差减小，从而允许应用更低的操作压力。通过根据本专利技术的制造方法获得的雾化主体可有利地应用于雾化装置。同样根据本专利技术的一个方面，提供了一个雾化主体，包含-支承元件，其具有在所述支承元件的第一表面上的第一层和在所述支承元件的第二表面上的第二层，所述第一层包含第一穿孔膜，且所述第二层包含工艺孔，-空腔，其穿过所述支承元件，所述空腔形成从所述工艺孔至所述第一穿孔膜的流体连接。在本专利技术的含义中，根据本专利技术的雾化主体的工艺孔被理解为一个或多个相对较大的穿孔，大是相对于第一膜片的穿孔大小而言。作为实例，第一膜片的穿孔可具有从0.5 至10微米变化的尺寸(例如，直径)，反之工艺孔可包含一个或多个具有大于10 μ m的直径尺寸的穿孔。工艺孔的尺寸使刻蚀物质进入雾化主体的输送和/或反应物排出雾化主体的输送成为可能。在实施例中，雾化主体进一步包含用于覆盖工艺孔的覆盖物。该覆盖物可例如由多孔材料制成，且在使用中作为滤网，阻止颗粒通过工艺孔进入空腔。在优选的实施例中，工艺孔的横截面比覆盖第一穿孔膜的区域小。这可以例如提供在不增加雾化主体的整体尺寸的情况下实施刻蚀工艺的优势。这还可以最小化雾化主体内液体的“死体积”，所述“死体积”引发气泡。因此，为工艺孔选择适当的尺寸可被认为是在选择足够大的工艺孔以使腔的刻蚀成为可能和选择足够小的工艺孔以保持雾化主体的整体尺寸尽可能小之间的权衡。根据本专利技术的另一方面，提供了包含雾化主体和支承结构的雾化装置，所述雾化主体包含-支承元件，其具有在支承元件的第一表面上的第一层和在支承元件的第二表面上的第二层，所述第一层包含第一穿孔膜并且所述第二层包含第二穿孔膜，-工艺孔，其设置在所述第一或第二层中的至少一层上，所述孔被设置为邻近于所述第一或第二穿孔膜，-空腔，形成从所述第一穿孔膜至所述第二穿孔膜的流体连接，-并且其中，所述雾化主体附着至所述支承结构的表面，由此大体上覆盖所述工艺孔。根据本专利技术的雾化装置包含支承结构和雾化主体。该支承结构可，例如包含入口， 其用于接收流体并例如在压力下提供流体至雾化主体。在使用中，所接收到的流体可，例如通过第二膜片(例如滤网)进入雾化主体。因此，第二膜片可作为过滤器使用以阻止颗粒进入雾化主体的空本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊万·鲁特格尔·哈斯坎普，威廉默斯·彼得勒斯·约翰尼斯·德克鲁伊夫，维策·纳伊丹，杰伦·马瑟吉·维辛克，
申请(专利权)人：美德斯普瑞埃克斯门斯公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。