增强应力记忆技术效果的方法技术

本发明专利技术增强应力记忆技术效果的方法浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅，使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的工艺技术方法，尤其涉及一种。
技术介绍
随着CMOS半导体器件工艺的发展以及按比例尺寸缩小，应力工程在半导体工艺和器件性能方面起到越来越大的作用。在CMOS器件中引入应力，主要是为了提高器件载流子迁移率。应力记忆效应(Stressmemorization technique,简称 SMT)是一种 CMOS 工艺中引入应力的方法。在器件源漏注入之后，沉积一层氮化硅薄膜保护层(cap layer)，紧接着进行源漏退火，在源漏退火过程中，会产生氮化硅薄膜保护层、多晶硅栅以及侧墙之间的热应力和内应力效应，这些应力会被记忆在多晶硅栅之中。在接下来的工艺中，氮化硅薄膜保护层被刻蚀掉，但记忆在多晶硅栅中的应力，仍然会传导到CMOS半导体器件的沟道之中。这种应力产生的原因来源于退火时多晶硅晶粒长大重结晶的同时，覆盖的氮化硅阻挡多晶硅应力向外释放，在多晶硅中沿Z方向(out-plane)会产生张应力，而沟道X方向 (in-plane)会产生压应力。传导到沟道中的应力为Z方向的压应力以及沟道方向的张应力。这样的应力效果，对提高NMOS器件电子迁移率有益。目前在LCD面板的制程中普遍采用了低温多晶硅技术。最初其制程普遍采用温度超过摄氏1000度Laser Anneal (雷射退火)将玻璃基板上的非晶硅结构转变成多晶硅结构，而低温多晶硅技术温度没有那么高，仅约摄氏500 600度。低温多晶硅制程是利用准分子镭射作为热源，雷射光经过投射系统后，会产生能量均勻分布的激光束，投射于非晶硅上，当非晶硅吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在摄氏600度以下完成。非晶硅转变为多晶硅，硅晶粒会变大，从而能够在沟道中产生更大的应力。
技术实现思路
本专利技术公开了一种，用以通过使用非晶硅栅取代多晶硅栅，并通过准分子激光加热，在完成应力记忆效应薄膜的退火后产生更大的应力。本专利技术的上述目的是通过以下技术方案实现的一种，在一衬底上形成至少一浅沟槽隔离，并在衬底上进行阱注入，其中，包括以下步骤 在衬底上形成至少一非晶硅栅极； 进行外延注入；在非晶栅极的两个形成器件侧墙，并进行源/漏注入； 在衬底上淀积一层氮化硅层；使用准分子激光照射与尖峰退火，产生应力记忆技术所需要的应力并留在栅内；将覆盖在衬底上的氮化硅层去除。如上所述的，其中，进行准分子激光照射的过程中将温度控制在500 600 ° C之间。如上所述的，其中，将进行准分子激光照射的时间控制在 lmirTlOOOmin。如上所述的，其中，进行尖峰退火的过程中将温度控制在800 1200之间。如上所述的，其中，将尖峰退火的时间控制在30秒至2小时。综上所述，本专利技术浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅， 使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是本专利技术的完成源/漏注入后的示意图； 图2是本专利技术的淀积氮化硅层后的示意图3是本专利技术的将覆盖在衬底上的氮化硅层去除后的示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明一种，在一衬底10上形成至少一浅沟槽隔离101，并在衬底10上进行阱注入，其中，包括以下步骤在衬底10上形成至少一非晶硅栅极，与现有技术采用多晶硅栅极不同，本专利技术采用非晶硅栅极； 进行外延注入；图1是本专利技术的完成源/漏注入后的示意图，请参见图 1，在非晶栅极201的两个形成器件侧墙202，并进行源/漏注入；图2是本专利技术的淀积氮化硅层后的示意图，请参见图2， 在衬底10上淀积一层氮化硅层；使用准分子激光照射与尖峰退火，产生应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，通过使用非晶栅取代多晶栅，并引入准分子激光加热，在SMT退火之后，非晶硅栅晶粒长大重新结晶，从而产生了更大的应力。栅的应力传导到NMOS器件沟道内，在多晶硅中沿Z方向(out-plane)会产生更大的压应力，此压应力可以提高NMOS器件的电子迁移率，增强了 SMT对NMOS的作用，提高了NMOS器件的性能。图3是本专利技术的将覆盖在衬底上的氮化硅层去除后的示意图，请参见图3，将覆盖在衬底10上的氮化硅层去除。本专利技术中进行准分子激光照射的过程中可以将温度控制在50(T600° C之间。进一步的，本专利技术中将进行准分子激光照射的时间控制在lmirTlOOOmin之间。另外，本专利技术中可以进行尖峰退火的过程中将温度控制在80(Γ1200之间。并且，本专利技术中可以将尖峰退火的时间控制在30秒至2小时。综上所述，由于采用率了上述技术方案，本专利技术浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅，使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本专利技术的实质内容，在此不予赘述。以上对本专利技术的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本专利技术的实质内容。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。权利要求1.一种，在一衬底上形成至少一浅沟槽隔离，并在衬底上进行阱注入，其特征在于，包括以下步骤在衬底上形成至少一非晶硅栅极；进行外延注入；在非晶栅极的两个形成器件侧墙，并进行源/漏注入；在衬底上淀积一层氮化硅层，将衬底上的浅沟槽区域、非晶栅极及覆盖在非晶栅极侧壁的器件侧墙覆盖；使用准分子激光照射与尖峰退火，产生应力记忆技术所需要的应力并留在栅内；将覆盖在衬底上的氮化硅层去除。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，进行准分子激光照射的过程中将温度控制在50(T600° C之间。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，将进行准分子激光照射的时间控制在lmirTlOOOmin。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，进行尖峰退火的过程中将温度控制在80(Γ1200之间。5.根据权利要求1所述的，其特征在于，将尖峰退火的时间控制在30秒至2小时。全文摘要本专利技术浅沟隔离和阱注入之后，用非晶硅栅取代传统的多晶硅栅，然后进行外延注入，形成侧墙，进行源漏注入，淀积一层氮化硅，使用准分子激光照射与尖峰退火，产生更大的应力记忆技术所需要的应力并留在栅内，去除氮化硅层。文档编号H01L21/8238GK102437119SQ20111023226公开日2012年5月2日 申请日期2011年8月15日 优先权日2011年8月15日专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓橹，颜丙勇，陈玉文，邱慈云，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：